FRENDTECH "Front-End Models for Future Technology", EU, IST 2000 Project No. 30129.

     Στα πλαίσια του προγράμματος πραγματοποιήθηκαν οι εξής δημοσιεύσεις σε διεθνή περιοδικά με σύστημα κριτών:

[1] Injection  of  point  defects  during  annealing  of  low energy As implanted  silicon.

C. Tsamis, D. Skarlatos, V. Valamontes, D. Tsoukalas, G. BenAssayag, A.Claverie  and W. Lerch

Materials Science and Engineering 124, 261-265, (2005).

[2] Interstitial injection in silicon after high dose, low energy Arsenic implantation and annealing.

C. Tsamis, D. Skarlatos, G. BenAssayag,  A. Claverie,W. Lerch and V.Valamontes

Applied Physics Letters 87, 201903 (2005).