ΒΙΟΓΡΑΦΙΚO ΣΗΜΕΙΩΜΑ ΚΑΙ ΣΥΝΟΠΤΙΚΗ ΑΝΑΛΥΣΗ ΕΠΙΣΤΗΜΟΝΙΚΟΥ ΕΡΓΟΥ ΓΕΩΡΓΙOY Π. ΠΑΤΣΗ

1. ΠΡΟΣΩΠΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ

Επώνυμο: / Όνομα:	ΠΑΤΣΗΣ / ΓΕΩΡΓΙΟΣ
Ημερ/νία Γέννησης :	13/07/1972
Οικογενειακή Κατάσταση :	ΠΑΝΤΡΕΜΕΝΟΣ ΜΕ ΤΗ ΘΕΟΦΑΝΙΑ ΣΜΥΡΗ (ΚΑΘ. ΦΥΣΙΚΗΣ), ΠΑΤΕΡΑΣ ΔΥΟ ΠΑΙΔΙΩΝ, ΤΗΣ ΑΝΑΣΤΑΣΙΑΣ (16 ΕΤΩΝ) ΚΑΙ ΤΟΥ ΠΑΝΑΓΙΩΤΗ (13 ΕΤΩΝ)
Διεύθυνση Κατοικίας :	ΜΑΝΙΑΚΙΟΥ 16-18-20, ΚΟΝΤΟΠΕΥΚΟ, ΑΓΙΑ ΠΑΡΑΣΚΕΥΗ, ATTIKHΣ 15343
Διεύθυνση Εργασίας:	1) ΤΜΗΜΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΜΗΧΑΝΙΚΩΝ , ΤΕΙ ΑΘΗΝΩΝ , ΑΓ. ΣΠΥΡΙΔΩΝΑ & ΔΗΜΗΤΣΑΝΑΣ, ΑΙΓΑΛΕΩ, 12210 2) ΙΝΣΤΙΤΟΥΤΟ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ, ΕΚΕΦΕ ΔΗΜΟΚΡΙΤΟΣ, ΠΑΤΡΙΑΡΧΟΥ ΓΡΗΓΟΡΙΟΥ ΤΕΡΜΑ, ΑΓΙΑ ΠΑΡΑΣΚΕΥΗ, 15310
e-mail:	patsisg@teiath.gr, gpatsis@imel.demokritos.gr , gpatsis13@yahoo.gr
Ιστοσελίδα:	http://users.teiath.gr/patsisg/index.htm

2. ΤΡΕΧΟΥΣΑ ΔΡΑΣΤΗΡΙΟΤΗΤΑ

Τον Απρίλιο του 2009 ο Γ. Π. ΠΑΤΣΗΣ εκλέγεται στο Τμήμα Ηλεκτρονικών Μηχανικών του ΤΕΙ Αθηνών στη βαθμίδα του Επίκουρου Καθηγητή, με γνωστικό αντικείμενο «Αναλογικά Ηλεκτρονικά» (ΦΕΚ 424-2010). Τον Απρίλιο του 2014 εκλέγεται στη βαθμίδα του Αναπληρωτή Καθηγητή με αντικείμενο "Σχεδίαση – Προσομοίωση Μικροηλεκτρονικών Διατάξεων». (ΦΕΚ 1161-2014).

Στο τμήμα αυτό διδάσκει τη θεωρία και το εργαστήριο των προπτυχιακών μαθημάτων: «Ψηφιακά Ηλεκτρονικά» (Γ’ εξάμηνο) και «Ταλαντωτές, Φίλτρα και Χρονοκυκλώματα» (Δ’ Εξάμηνο). Διδάσκει επίσης στο μεταπτυχιακό του Τμήματος με αντικείμενο «Σχεδίαση και Ανάπτυξη Προηγμένων Συστημάτων Ηλεκτρονικής», στα μαθήματα «Ολοκληρωμένα και Κβαντικά Ηλεκτρονικά» (Α’ Εξάμηνο) και «Νανοηλεκτρονική και Εφαρμογές» (Γ’ Εξάμηνο).

Διατηρεί συνεργασία ως εξωτερικός ερευνητής με το Ινστ. Μικροηλεκτρονικής του ΕΚΕΦΕ Δημόκριτος σε ερευνητικά θέματα σχετικά με την προσομοίωση διεργασιών και μικρο-νάνο- ηλεκτρονικών διατάξεων.

3. ΔΙΔΑΚΤΟΡΙΚΟ

Τον Ιούλιο του 1995 o Γ. Π. ΠΑΤΣΗΣ έγινε δεκτός ως υποψήφιος διδακτορικός φοιτητής της Σχολής Εφαρμοσμένων Μαθηματικών και Φυσικών Επιστημών του ΕΜΠ. Το αντικείμενο του διδακτορικού ήταν: «Θεωρητική και πειραματική μελέτη λιθογραφίας ηλεκτρονικής δέσμης για την κατασκευή δομών υπομικρονικών διαστάσεων». Έτος ολοκλήρωσης: 1999.

Το διδακτορικό πραγματοποιήθηκε στο Ινστ. Μικροηλεκτρονικής του ΕΚΕΦΕ Δημόκριτος, στο οποίο ο Γ. Π. ΠΑΤΣΗΣ, ήταν μεταπτυχιακός υπότροφος (εισαγωγή με εξετάσεις, με μέσο όρο 8.3), για 4 χρόνια.

Στα πλαίσια της διδακτορικής του διατριβής ασχολήθηκε με τη θεωρητική μελέτη των αλλαγών φάσης φωτοευαίσθητων υλικών κατά την ακτινοβόλησή τους στο βαθύ υπεριώδες και με ηλεκτρόνια. Σκοπός ήταν να γίνει κατανοητός ο τρόπος αλλαγής της διαλυτότητάς τους, ώστε να χρησιμοποιηθούν για την κατασκευή μασκών υλοποίησης ολοκληρωμένων κυκλωμάτων. Σημαντική συμβολή στην έρευνα ήταν η ανάπτυξη μοντέλων και κωδίκων για την προσομοίωση της πλευρικής τραχύτητας που αναπτύσσεται λόγω του στοχαστικού χαρακτήρα των διαδικασιών κατασκευής των μασκών, η οποία με τη σειρά της επιδρά στις ηλεκτρικές ιδιότητες των τελικών υλοποιούμενων διατάξεων.

Στα πλαίσια του διδακτορικού του συνέγραψε 8 δημοσιεύσεις σε διεθνή περιοδικά με κριτές και συμμετείχε σε περισσότερα από 10 διεθνή συνέδρια στην περιοχή της Μικροηλεκτρονικής με ομiλίες και ανακοινώσεις αφίσας.

4. ΜΕΤΑΠΤΥΧΙΑΚΕΣ ΣΠΟΥΔΕΣ

1. Μεταπτυχιακός κύκλος μαθημάτων στη Μικροηλεκτρονική, Ινστ. Μικροηλεκτρονικής, ΕΚΕΦΕ Δημόκριτος (1995-1996). Εργασίες:

1) "Μελέτη μη Σχετικιστικής Σκέδασης Ηλεκτρονίων με τη Μέθοδο Monte Carlo. Εφαρμογές στη Μικροηλεκτρονική". (Εργασία στο μάθημα “Υπολογιστική Φυσική”).

2) "Εγχάραξη Πολυμερών και Φωτοπολυμερών" (Εργασία στο μάθημα “Διεργασίες Κατασκευής Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων).

2. Μεταπτυχιακός κύκλος μαθημάτων στο ενδεικτικό Ηλεκτρονικού Αυτοματισμού (ΗΑ), Τμήμα Φυσικής-Πληροφορικής ΕΚΠΑ (1997-1998). Εργασίες:

1) "Μέθοδοι-Λογισμικό Υπολογισμού κύκλων σε γράφους (graph theory)" (Εργασία στο μάθημα “Αλγόριθμοι”).

2) «Προσομοίωση φαινόμενων διάχυσης- αντίδρασης σε πολυμερή με χρήση αριθμητικών μεθόδων λύσεως". (Εργασία στο μάθημα “Ανάπτυξη Λογισμικού”).

3) "Προσομοίωση κυκλοφορίας δεδομένων σε δίκτυα υπολογιστών". (Εργασία στο μάθημα “Δίκτυα”).

5. ΠΤΥΧΙΟ

Φυσικής, Εθνικό Καποδιστριακό Πανεπιστήμιο Αθηνών (ΕΚΠΑ). (1995).

Πτυχιακή Εργασία : "Βελτιστοποίηση Φωτολιθογραφικών Υλικών για `Εκθεση στο Βαθύ Υπεριώδες του Φάσματος" (ΕΚΠΑ-Τμήμα Φυσικής / Δημόκριτος Ινστ. Μικροηλεκτρονικής, 1995).

Άλλη σημαντική εργασία: "Μελέτη Χαρακτηριστικών Πολωμένου Φωτός". Εργασία στα πλαίσια του Μαθήματος Οπτικοηλεκτρονικής. ΕΚΠΑ-Τμήμα Φυσικής (1994).

6. ΕΙΔΙΚΕΣ ΓΝΩΣΕΙΣ (ΕΠΙΓΡΑΜΜΑΤΙΚΑ)

1. Λειτουργικά Συστήματα : DOS, WINDOWS, UNIX, SOLARIS, LINUX.

2. Γλώσσες Προγραμματισμού : C, C++, Visual C++, Java, Visual Basic , Fortran , Visual Fortran , Pascal , Visual Pascal, Mathematica , Matlab, tcl, python.

3. Matlab , Simulink και το σύνολο των εργαλείων επεξεργασίας σήματος, εικόνας και επικοινωνιών. Σχεδιασμός ολοκληρωμένων εφαρμογών με το Matlab.

4. Σχεδίαση – μοντελοποίηση συστημάτων με πακέτο ANSYS, COMSOL Multiphysics, TCADSTUDIO, FLEXPDE, Μοντελοποίηση με πεπερασμένα στοιχεία, μερικές διαφορικές εξισώσεις.

5. Σχεδιασμός – προσομοίωση κυκλωμάτων με OrCAD, SuperSpice, TINA, Multisim, Ultiboard, Altium Designer, PADS

6. Σχεδιασμός – προσομοίωση VLSI με LASI, Electric, LEdit, Microwin.

7. Γλώσσα VHDL, VHDL-AMS , Πακέτα λογισμικού : Renoir , ModelSim , Xilinx , V-system, LEONARDO SPECTRUM, Ansoft Simplorer,

8. Σχεδιασμός – προσομοίωση κυκλωμάτων με VHDL-AMS, Πακέτα λογισμικού: Advance AMS της Mentor Graphics, Hamster, AMS Simulator της Cadence, DOLPHIN-SMASH.

9. Πακέτα λογισμικού : Spice , LabView , OFFICE.

10. Μηχανική σχεδίαση / μοντελοποίηση οπτοηλεκτρονικών, οπτομηχανικών συστημάτων με το TRACE PRO.

11. Σχεδίαση και κατασκευή διαδραστικών ιστοσελίδων (που περιέχουν applets, π.χ. physlets) με ιδιαίτερο ενδιαφέρον στις εφαρμογές εκπαιδευτικού λογισμικού στο διαδίκτυο. Πακέτα εκπαιδευτικού λογισμικού: CROCODILE CLIPS.

12. Διασύνδεση υπολογιστών και σταθμών εργασίας (διαφόρων λειτουργικών συστημάτων σε δίκτυο) σε δίκτυο. Προσομοίωση δικτυακής λειτουργίας με το COMNET.

13. Μοριακή μοντελοποίηση – προσομοίωση υλικών και διεργασιών με χρήση υπολογιστικών συστημάτων και πακέτων λογισμικού (π.χ. CHEMOFFICE, DL_POLY, GULP, MOLDY, TINKER, MATERIAL EXPLORER, MOPAC, GAMESS, PROLITH, SUPREM, PSICES, ACCELRYS MATERIAL STUDIO).

14. Εμπειρία σε : Δομές δεδομένων, Αλγορίθμους, Αριθμητική Ανάλυση, Προσομοιώσεις και τρόπους χρήσης αυτών στη μοντελοποίηση φυσικο-χημικών διεργασιών σε υλικά.

15. Εμπειρία εργασίας σε καθαρό χώρο και λιθογραφικές διεργασίες. Χρήση οργάνων: SEM, AFM, PROFILE-METER. Ειδίκευση σε θέματα κατασκευής ολοκληρωμένων κυκλωμάτων.

16. Εμπειρία σε εργαστήρια ηλεκτρονικής, ηλεκτρονικές κατασκευές, ηλεκτρικές/ηλεκτρονικές μετρήσεις.

17. Εμπειρία σε επεξεργασία σήματος σε πραγματικό χρόνο με τη χρήση LABVIEW.

7. ΙΣΤΟΡΙΚΟ ΕΡΕΥΝΗΤΙΚΗΣ ΔΡΑΣΤΗΡΙΟΤΗΤΑΣ (ΣΥΝΟΠΤΙΚΑ)

Ο Γ. ΠΑΤΣΗΣ υπήρξε υπότροφος του Ινστ. Μικροηλεκτρονικής του ΕΚΕΦΕ Δημόκριτος (1995-1999) και στη συνέχεια Συνεργαζόμενος Ερευνητής βαθμίδας Δ’ για 4ετή θητεία (2002-2006).

Η ερευνητική δραστηριότητα του Γ. Π. ΠΑΤΣΗ εστιάζεται στην περιοχή της εφαρμοσμένη φυσικής και των ηλεκτρονικών και ειδικότερα στην τεχνολογία κατασκευής ολοκληρωμένων κυκλωμάτων. Ειδικεύεται στο χαρακτηρισμό και τη μετρολογία νανοδομών και αναπτύσσει λογισμικό προσομοιωτών για τη συμπεριφορά των υλικών στις διάφορες διεργασίες που ακολουθούνται για την κατασκευή των μασκών με τις οποίες γίνεται η απεικόνιση των σχημάτων που θα αποτυπωθούν στο δισκίο του πυριτίου κατά την κατασκευή των ολοκληρωμένων κυκλωμάτων. Η τεχνολογία αυτή αποτελεί το σημαντικότερο στάδιο στην κατασκευή των τρανζίστορ γιατί είναι υπεύθυνη για τη διευθέτηση, ευθυγράμμιση και γενικότερα το γεωμετρικό σχεδιασμό και τη μεταφορά σχήματος των κυκλωμάτων, λαμβάνοντας υπόψη της τη φυσική της αλληλεπίδρασης των διαφόρων ακτινοβολιών που χρησιμοποιούνται ως πηγές έκθεσης καθώς και τη φυσικοχημεία των υλικών (κυρίως σύνθετων πολυμερικών συστημάτων) που χρησιμοποιούνται ως υμένια απεικόνισης. Επίσης, ασχολείται ερευνητικά με την επίπτωση της τραχύτητας των υλικών λιθογραφίας των επόμενων γενιών τρανζίστορ, στις ηλεκτρικές ιδιότητες τους και την περιγραφή υλικού με γλώσσες HDL (VHDL-AMS, Verilog-AMS) που συνδυάζουν μικτά σήματα στο ίδιο τσίπ και δίνουν δυνατότητα αφαιρετικής περιγραφής συστημάτων από διάφορα φυσικά πεδία (θερμότητα, ηλεκτρισμό, μαγνητισμό, ροή ρευστών κτλ). Τέλος, έχει εμπειρία σε ηλεκτρικές μετρήσεις και το σχεδιασμό αναλογικών, ψηφιακών και RF συστημάτων.

Ο Γ. Π. ΠΑΤΣΗΣ είναι κριτής στα περιοδικά:

a) Journal of Zhejiang University SCIENCE(A&B), Applied physics & Eng.,

b) Solid-State Electronics,

c) IEEE Instrumentation & Measurement.

d) Journal of Wavelet Theory and Applications.

e) Microelectronic Engineering.

f) Journal of Micro/Nanolithography, MEMS, and MOEMS (JM3).

g) Japanese Journal of Applied Physics.

h) Journal of Applied Physics.

Είναι στο editorial board του ISRN Electronics.

Είναι συγγραφέας σε περισσότερες από 70 εργασίες σε διεθνή περιοδικά με κριτές, στην περιοχή της τεχνολογίας κατασκευής ολοκληρωμένων κυκλωμάτων. Το επιστημονικό αυτό έργο έχει δεχθεί άνω των 400 ετεροαναφορών και έχει δείκτη-h=12 (δήλαδη 12 δημοσιεύσεις έχουν δεχθεί τουλάχιστον 12 ετεροαναφορές). Έχει συμμετάσχει με ομιλίες και αφίσες σε περισσότερα από 100 συνέδρια (διεθνή και εθνικά) στην περιοχή της μικροηλεκτρονικής και της φυσικής στερεάς κατάστασης. Τέλος, έχει δώσει 32 ομιλίες σε διεθνή και εθνικά συνέδρια, συναντήσεις ερευνητικών προγραμμάτων, θερινά σχολεία και παραδώσεις μαθημάτων σε συνέδρια.

8. ΣΥΝΟΠΤΙΚΗ ΠΕΡΙΓΡΑΦΗ ΕΡΕΥΝΗΤΙΚΩΝ ΔΡΑΣΤΗΡΙΟΤΗΤΩΝ (ME AMOIBH)

Α/Α	ΕΡΓΟΔΟΤΗΣ	ΘΕΣΗ ΕΡΕΥΝΗΤΗ ΣΤΟ ΕΡΓΟ	ΑΠΟ-ΕΩΣ	ΣΥΝΟΛΙΚΗ ΔΙΑΡΚΕΙΑ
1	ΕΚΕΦΕ ΔΗΜ/ΤΟΣ, Ινστ. Μικρο/νικής	ΠΕΝΕΔ: EE.1280 CMOS-NANO : Κρίσιμες τεχνολογίες σχηματοποίησης για την κατασκευή CMOS κυκλωμάτων με διάσταση <100nm σε βιομηχανική κλίμακα.	1-03-2008 έως 31-04-2009	2 μήνες
2	ΕΚΕΦΕ ΔΗΜ/ΤΟΣ, Ινστ. Μικρο/νικής	.1481 MD3 : Material Development for Double Exposure and Double Patterning	1-01-2008 έως 30-5-2009	29 μήνες
3	ΕΚΕΦΕ ΔΗΜ/ΤΟΣ, Ινστ. Μικρο/νικής	ΕΕ.1327-ΝΑΝΟPLASMA. Μοριακή προσομοίωση υλικών σε διεργασίες σχημάτοποίησης.	1-8-2007 έως 31-12-2007	5 μήνες
4	ΕΚΕΦΕ ΔΗΜ/ΤΟΣ, Ινστ. Μικρο/νικής	ΕΕ.1446-NANOCOMP. Νανολιθογραφία με δέσμη πρωτονίων για την ανάπτυξη δομών μεγάλου ύψους για τη χρήση σε οπτικές διατάξεις. – Προσομοίωση διεργασιών λιθογραφίας.	8-4-2007 έως 31-7-2007	4 μήνες
5	ΕΚΕΦΕ ΔΗΜ/ΤΟΣ, Ινστ. Μικρο/νικής	ΕΕ.1130-Exploring new limits to Moore’s law. – Μοριακή μοντελοποίηση και προσομοίωση φωτοευαίσθητων ρητινών για προσομοίωση της διάλυση λεπτών υμενίων	1-1-2007 έως 31-3-2007	3 μήνες
6	ΕΚΕΦΕ ΔΗΜ/ΤΟΣ, Ινστ. Μικρο/νικής	ΕΕ.1130-Exploring new limits to Moore’s law. – Μοριακή μοντελοποίηση και προσομοίωση φωτοευαίσθητων ρητινών για προσομοίωση της διάλυση λεπτών υμενίων	1-5-2006 έως 31-12-2006	8 μήνες
7	ΕΚΕΦΕ ΔΗΜ/ΤΟΣ, Ινστ. Μικρο/νικής	Ε.1174-Προσομοίωση και θεωρητικοί υπολογισμοί των παραμέτρων φαινόμενου γειτνίασης για την αποτύπωση σχήματος με ηλεκτρονική-δέσμη σε μάσκες λιθογραφίας EUVL.	1-6-2004 έως 30-10-2005	16 μήνες
8	ΕΚΕΦΕ ΔΗΜ/ΤΟΣ, Ινστ. Μικρο/νικής	ΕΕ.1130-ΜΟRE MOORE. Προσομοίωση τραχύτητας σε υλικά τεχνολογίας 13nm (Extreme Ultra Violet, EUV)	1-1-2004 έως 31-12- 2006	36 μήνες
9	ΕΚΕΦΕ ΔΗΜ/ΤΟΣ, Ινστ. Μικρο/νικής	ΕΕ.907-Critical resist and processing issues at 157nm lithography addressing the 70nm node. (157 CRISPIES). – Προσομοίωση λιθογραφικών διαδικασιών για λιθογραφία στα 157nm	1-1-2003 έως 31-12-2003	12 μήνες
10	ΕΚΕΦΕ ΔΗΜ/ΤΟΣ, Ινστ. Μικρο/νικής	Ερευνητής με Προσόντα Δ’ Βαθμίδας	1/5/2002-30/4/2006	48 μήνες
11	ΕΚΕΦΕ ΔΗΜ/ΤΟΣ, Ινστ. Μικρο/νικής	ΕΕ.907-Critical resist and processing issues at 157nm lithography addressing the 70nm node. (157 CRISPIES). – Προσομοίωση λιθογραφικών διαδικασιών για λιθογραφία στα 157nm	1-10-2001 έως 30-9-2002	12 μήνες
12	ΕΚΕΦΕ ΔΗΜ/ΤΟΣ, Ινστ. Μικρο/νικής	ΕΕ.768-Επιφανειακή κατεργασία πολυμερικών υλικών σε ηλεκτρικές εκκενώσεις πλάσματος: Εφαρμογή στη μικροηλεκτρονική και τη νανοτεχνολογία	1-1-2000 έως 30-6-2000	6 μήνες
13	ΕΚΕΦΕ ΔΗΜ/ΤΟΣ, Ινστ. Μικρο/νικής	ΕΕ.634-Κατασκευή νανοδομών με λιθογραφία και εγχάραξη με πλάσμα: Μελέτη του φαινόμενου της τραχύτητας.	1-10-1999 έως 28-2-2000	5 μήνες
14	ΕΚΕΦΕ ΔΗΜ/ΤΟΣ, Ινστ. Μικρο/νικής	ΕΕ.491-Electron beam lithography. Resists and processes	1-7-99 έως 30-9-99	3 μήνες
15	ΕΚΕΦΕ ΔΗΜ/ΤΟΣ, Ινστ. Μικρο/νικής	Nano-fabrication with chemically amplified resists (NANCAR).	1-1-1996 έως 31-12-1997	24 μήνες

8.1 ΣΥΝΟΠΤΙΚΗ ΠΕΡΙΓΡΑΦΗ ΕΡΕΥΝΗΤΙΚΩΝ ΔΡΑΣΤΗΡΙΟΤΗΤΩΝ (ΧΡΟΝΟΛΟΓΙΚΑ)

8.1.1. 1996-2003.

Την περίοδο 1996-2003 ο Γ. Π. ΠΑΤΣΗΣ εργάστηκε ερευνητικά σε ευρωπαϊκά ερευνητικά πρόγραμματα με τα αντικείμενα που περιγράφονται αναλυτικότερα παρακάτω.

Ι. “NANCAR”, με ανάθεση τη: «Μελέτη φαινόμενων αντίδρασης – διάχυσης και πυριτίωσης και ανάπτυξη κώδικα - διεπιφάνειας υπολογισμού του συντελεστή διάχυσης οξέος σε χημικά ενισχυμένα φωτοπολυμερή λιθογραφίας»

ΙΙ. “ΕΕ.491-Electron beam lithography. Resists and processes,” με ανάθεση την «Προσομοίωση διαδικασιών πυριτίωσης και εμφάνισης με πλάσμα πολυμερών υλικών».

ΙΙΙ. “ΕΕ.634-Κατασκευή νανοδομών με λιθογραφία και εγχάραξη με πλάσμα: Μελέτη του φαινόμενου της τραχύτητας”, με ανάθεση την «Προσομοίωση επιφανειακής τραχύτητας πολυμερικών υλικών κατά την εγχάραξή τους με πλάσμα».

IV. “ΕΕ.768-Επιφανειακή κατεργασία πολυμερικών υλικών σε ηλεκτρικές εκκενώσεις πλάσματος: Εφαρμογή στη μικροηλεκτρονική και τη νανοτεχνολογία”, με ανάθεση τη «Μελέτη τραχύτητας πολυμερικών επιφαανειών με στοχαστικά μοντέλα προσομοίωσης».

V. “ΕΕ.907-Critical resist and processing issues at 157nm lithography addressing the 70nm node. (157 CRISPIES)”, με ανάθεση την «Προσομοίωση λιθογραφικών διαδικασιών για λιθογραφία στα 157nm».

8.1.1.1. Μελέτη φαινόμενων αντίδρασης – διάχυσης και πυριτίωσης και ανάπτυξη κώδικα - διεπιφάνειας υπολογισμού του συντελεστή διάχυσης οξέος σε χημικά ενισχυμένα φωτοπολυμερή λιθογραφίας.

Η εργασία του βασίστηκε στην αριθμητική επίλυση του συζευγμένου συστήματος των διαφορικών εξισώσεων διάχυσης-αντίδρασης. Υπολογίστηκε ο συντελεστής διάχυσης του οξέος ως συνάρτηση της πυκνότητας σταυροδεσμών του πολυμερούς για διάφορα φωτοπολυμερή τόσο πειραματικά όσο και εμπορικά. Προσομοιώθηκαν κυλινδρικής συμμετρίας δομές φωτοπολυμερούς (pixels). Ο τελικός κώδικας ενσωματώθηκε στο εμπορικό πακέτο λογισμικού SELID (Εικόνα 8.1.1.1.1) που διατίθεται από τη Γερμανική εταιρία Sigma-C και προσομοιώνει τις διαδικασίες λιθογραφίας ηλεκτρονικής δέσμης. Το πακέτο αυτό είναι ένα από τα δύο στο είδος του σε παγκόσμια κλίμακα (το δεύτερο είναι το PROLITH) και υποστηρίζει όλα τα χαρακτηριστικά των χημικά ενισχυμένων φωτοπολυμερών. `Ένας συνοπτικός κατάλογος εταιρειών που έχουν αγοράσει το πακέτο περιλαμβάνει μεταξύ άλλων τις: ETEC, NEC, HUNDAI , MOTOROLA , SAMSUNG. Μικρές τροποποιήσεις οδήγησαν στην περιγραφή των φαινομένων της πυριτίωσης, που αποτελεί μια τεχνολογία εισαγωγής πυριτιωμένων ενώσεων, οι οποίες είναι ανθεκτικές στην εγχάραξη σε πλάσμα, σε επιλεγμένα σημεία της επιφάνειας του φωτοπολυμερούς.

Εικόνα 8.1.1.1.1.

Η τεχνολογία αυτή χρησιμοποιείται στην λιθογραφία δύο-στρωμάτων. (Λογισμικό ACID-SILPROF). (Λογισμικό σε C++, παραθυρικό περιβάλλον) (Εικόνα 8.1.1.1.2).

Εικόνα 8.1.1.1.2.

8.1.1.2. Περιγραφή του σχηματισμού αδιάλυτου πλέγματος (gel) σε φωτοπολυμερή χημικής ενίσχυσης μέσω αναλυτικών υπολογισμών.

Το αποτέλεσμα αυτής της εργασίας ήταν η εξαγωγή τεσσάρων θεωρητικών μοντέλων , που σχετίζουν το κλάσμα του αδιάλυτου πλέγματος (gel) με τη δόση ακτινοβολίας ηλεκτρονίων που δέχεται το υλικό σε ένα σύστημα λιθογραφίας ηλεκτρονικής δέσμης για αρνητικού φωτοπολυμερή (Εικόνα 8.1.1.2.1).

Εικόνα 8.1.1.2.1.

Δημιουργήθηκε διεπιφάνεια προσομοίωσης των καμπύλων αντίθεσης (contrast curves) τέτοιων πολυμερών. Oι τελικές εξισώσεις είναι γενικές, με την έννοια, ότι μπορούν με μικρές αλλαγές να ελεγχθούν για την περίπτωση οποιουδήποτε πολυμερούς σχηματίζει σταυροδεσμούς με την επίδραση ακτινοβολίας. (Λογισμικό σε C++, παραθυρικό περιβάλλον) (Εικόνα 8.1.1.2.2).

Εικόνα 8.1.1.2.2.

8.1.1.2.3. Μοριακές προσομοιώσεις για την περιγραφή του σχηματισμού αδιάλυτου πλέγματος σε φωτοπολυμερή χημικής ενίσχυσης καθώς και του υπολογισμού του συντελεστή διάχυσης οξέος και της επιφανειακής τραχύτητας- Πλήρης προσομοίωση βημάτων λιθογραφίας θετικού τόνου φωτοπολυμερών – Μοντέλα διάλυσης πολυμερών.

Η εργασία αυτή επικεντρώθηκε στη μελέτη και στην κατανόηση των διεργασιών και των φαινόμενων που οδηγούν στο χημικό φαινόμενο της δημιουργίας τρισδιάστατου δικτύου σταυροδεσμών, χρησιμοποιώντας στοχαστική μοντελοποίηση, σε ένα αρχικά ασύνδετο πολυμερή δίκτυο αλυσίδων (Εικόνα 8.1.1.2.3.1).

Εικόνα 8.1.1.2.3.1.

'Έγινε μελέτη του τρόπου με τον οποίο παράγοντες, όπως η ακτινοβολία, η θερμοκρασία και η συγκέντρωση του φωτοευαισθητοποιητή οδηγούν τελικά στην αλλαγή διαλυτότητας της πολυμερικής μήτρας μετά το “κρίσιμο σημείο” σχηματισμού τριδιάστατου δικτύου (gel point) (Εικόνα 8.1.1.2.3.2).

Εικόνα 8.1.1.2.3. 2.

Στα πλαίσια αυτά αναπτύχθηκε κώδικας προσομοίωσης με τεχνικές Monte Carlo της μοριακή δομής και της φυσικοχημείας των συστατικών μιας αρνητικού τόνου ενός χημικά ενισχυμένου φωτοπολυμερούς αρνητικού τόνου, υπό διάφορες συνθήκες συγκέντρωσης φωτοευαισθητοποιητή, θερμοκρασίας και πυκνότητας πολυμερούς (Εικόνα 8.1.1.2.3.3).

Εικόνα 8.1.1.2.3.3.

Με βάση το πλαίσιο αυτό μελετήθηκε η διάχυση του οξέος μέσα σε χημικά ενισχυμένες ρητίνες , καθώς και φαινόμενα επιφανειακής τραχύτητας και κρίσιμων φαινόμενων αλλαγής φάσης κοντά στο σημείο πήγματος. Την περίοδο αυτή άρχισε να σχολιάζεται στη βιβλιογραφία η επίδραση της πλευρικής τραχύτητας του φωτοπολυμερούς στις ηλεκτρικές ιδιότητες των τρανζίστορ των επόμενων γενιών (κάτω από τα 65nm μήκος πύλης). Η επίδραση είναι αναπόφευκτη λόγω της μοριακής φύσης του πολυμερούς και των εμπλεκομένων παραμέτρων των διεργασιών (Εικόνα 8.1.1.2.3.4).

Εικόνα 8.1.1.2.3.4.

Με σκοπό την κατανόηση των αιτίων που εισάγουν πλευρική τραχύτητα και του τρόπου ελάττωσής της αναπτύχθηκε ο κώδικας LER. Έχει τη δυνατότητα περιγραφής φωτοπολυμερών θετικού τόνου, ενώ το στάδιο της εμφάνισης (διάλυσης του υμενίου) γίνεται με τεχνικές percolation. (Εικόνα 8.1.1.2.3.5).

Εικόνα 8.1.1.2.3.5.

Μετεξέλιξη του κώδικα αυτού είναι ο CHAINS_RD2,με ικανότητα προσομοίωσης φωτοπολυμερών διαφόρων αρχιτεκτονικών, προσδιορισμό γεωμετρικών χαρακτηριστικών της πολυμερικής αλυσίδας, όπως του απ’άκρου-σε-άκρο διανύσματος και της γυροσκοπική ακτίνας και την επίδραση αυτών στην πλευρική τραχύτητα. Η διάλυση ενσωματώνει επίσης το μοντέλο του κρίσιμου ποσοστού ιονισμού καθώς και ένα υβριδικό μοντέλο μεταξύ percolation και κρίσιμου ιονισμού. Παράλληλα ενσωματώνει έξυπνους αλγόριθμους διάλυσης ώστε να προσδιορίζει το πλευρικό προφίλ και την τραχύτητά του με εξαιρετική ταχύτητα και λεπτομέρεια, παρόλη την Monte Carlo φύση του τρόπου προσομοίωσης (Λογισμικό σε C++, παραθυρικό περιβάλλον).

Σχετικές δημοσιεύσεις σε περιοδικά: [1-13]

8.1.2. 2002-2006. Ερευνητής Δ’ ΙΝΣΤ. ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ, ΕΚΕΦΕ ΔΗΜΟΚΡΙΤΟΣ.

Την περίοδο 2002-2006 ως συνεργαζόμενος ερευνητής βαθμίδας Δ (για 4ετή θητεία) ασχολήθηκε με τα:

8.1.2.1. Φυσικοχημεία της διάλυσης φωτοπολυμερών λιθογραφίας.

Ανέπτυξε λογισμικό στοχαστικής προσομοίωσης της διάλυσης λεπτών υμενίων, θεωρώντας τη μικροδομή του υλικού και τις διαμορφώσεις των πολυμερικών αλυσίδων, τις αλληλεπιδράσεις με την ακτινοβολία κατά την έκθεση, το οξύ κατά τη θέρμανση και το διαλύτη κατά την εμφάνιση (σε περιβάλλον Visual C++). (Εικόνα 8.1.2.1.1, 2)

Εικόνα 8.1.2.1. 1.

Εικόνα 8.1.2.1.2.

Σχετικές δημοσιεύσεις σε περιοδικά: [14, 15, 21, 22, 24, 27, 28, 29, 30- 33, 35]

Εικόνα 8.1.2.2.1.

8.1.2.2. Αλληλεπίδραση σωματιδιακής ακτινοβολίας (ηλεκτρονίων) με την ύλη. Υπολογισμοί της ενεργειακής εναπόθεσης δέσμης ηλεκτρονίων σε υλικά μικροηλεκτρονικής (πυρίτιο, πολυμερή υμένια) με τεχνικές Monte Carlo. (σε περιβάλλον C++ και Mathematica). (Εικόνα 8.1.2.2.1-4).

Εικόνα 8.1.2.2.2.

Εικόνα 8.1.2.2.3.

Εικόνα 8.1.2.2.4.

Σχετικές δημοσιεύσεις σε περιοδικά: [26, 34]

8.1.2.3. Τεχνικές μετρολογίας και χαρακτηρισμού νανοδομών. Ανάπτυξη μεθόδων χαρακτηρισμού και μέτρησης της ανομοιομορφίας και των διακυμάνσεών της σε κλίμακες μήκους κάτω των 100nm. Χρήση θεωριών μορφοκλασματικών (fractals). Ανάπτυξη εμπορικού λογισμικού μετρολογίας (σε περιβάλλον MATLAB). (Εικόνα 8.1.2.3.1-4). Η εργασία αυτή έχει οδηγήσει σε εμπορικό λογισμικό (LERDEMO) μετρολογίας νανοδομών για εξαγωγή στατιστικών χαρακτηριστικών τραχύτητας, το οποίο διατίθεται μέσω του Ινστ. Μικροηλεκτρονικής του ΕΚΕΦΕ Δημόκριτος. (Κύριος πελάτης είναι το IMEC στο Βέλγιο).

Εικόνα 8.1.2.3.1.

Εικόνα 8.1.2.3.2.

Εικόνα 8.1.2.3.3.

Εικόνα 8.1.2.3.4.

Σχετικές δημοσιεύσεις σε περιοδικά: [16, 17, 18, 19, 20, 23, 25, 37]

Εικόνα 8.1.2.4.1.

8.1.2.4. Επίδραση της ανομοιομορφίας της γεωμετρικής δομής της πύλης του τρανζίστορ στις ηλεκτρικές του ιδιότητες. Μελέτες πάνω στην επίδραση της πλευρικής τραχύτητας που αναπτύσσεται κατά τη λιθογραφία στο κανάλι του τρανζίστορ, στις ηλεκτρικές του ιδιότητες (σε C++ και SPICE). (Εικόνα 8.1.2.4.1-3).

Εικόνα 8.1.2.4.2.

Εικόνα 8.1.2.4.3.

Σχετικές δημοσιεύσεις σε περιοδικά: [34, 36, 38]

8.1.3. 2003-2010. ΣΥΝΕΡΓΑΖΟΜΕΝΟΣ ΕΡΕΥΝΗΤΗΣ ΣΕ ΔΙΕΘΝΗ/ΕΘΝΙΚΑ ΕΡΕΥΝΗΤΙΚΑ ΕΡΓΑ ΜΕ ΣΥΜΒΑΣΕΙΣ ΜΙΣΘΩΣΗΣ ΑΝΕΞΑΡΤΗΤΩΝ ΥΠΗΡΕΣΙΩΝ ΟΡΙΣΜΕΝΟΥ ΕΡΓΟΥ

8.1.4. 2003-2007. MORE-MOORE: Exploring new limits to Moore's law Project.

(http://cordis.europa.eu/projects/rcn/71115_en.html )

Την περίοδο από 2003-2007 ο Γ. Π. Πάτσης εργάστηκε με σύμβαση έργου και στο ευρωπαϊκό πρόγραμμα “ΕΕ1130. Exploring new limits to Moore’s law” του Ινστιτούτου Μικροηλεκτρονικής του ΕΚΕΦΕ Δημόκριτος και το αντικείμενό του είναι η «Μοριακή μοντελοποίηση και προσομοίωση φωτοευαίσθητων ρητινών για προσομοίωση της διάλυση λεπτών υμενίων».

Χρησιμοποίησε τεχνικές στοχαστικής προσομοίωσης, Monte-Carlo και Μοριακής Δυναμικής για την πρόβλεψη των δομών στο λιθογραφικό υμένιο μετά τις διεργασίες, της έκθεσης, της θέρμανσης, της διάλυσης και της εγχάραξης. Αναπτύσσεται αντίστοιχο λογισμικό προσομοιωτή. (Λογισμικό σε C++, Mathematica, Matlab). Σε προηγούμενα στάδια του προγράμματος αυτού ήταν επιστημονικός υπεύθυνος για τα επόμενα παραδοτέα:

1. Επίδραση του μοριακού βάρους των φωτοπολυμερών στην πλευρική τραχύτητα.

2. Κατανόηση της επίδρασης του μεγέθους των φωτοπολυμερικών αλυσίδων στην πλευρική τραχύτητα.

3. Σχετική επίδραση των υλικών, των διεργασιών, του θορύβου βολής και της εκπομπής δευτερογενών ηλεκτρονίων στην τελική τιμή της πλευρικής τραχύτητας.

4. Προσομοίωση και χαρακτηρισμός των μεταβολών πλάτους δομής και πλευρικής τραχύτητας σε υμένια μοριακών φωτοϋλικών.

5. Ανάπτυξη λεπτομερών μοντέλων διάλυσης μοριακών φωτοϋλικών.

Σχετικές δημοσιεύσεις σε περιοδικά: [40-49, 52-59]

(The More Moore project involved large and small companies from around Europe, including ASML, Phystex, Zeiss, AMTC, Philips EUV, XTREME technologies, FOCUS, SIGMA-C, AZ Electronic Materials, Schott Lithotec, Philips, XENOCS, Sagem Dιfense Sιcuritι, Imagine Optic, EPPRA and Media Lario. Academic and research institutions participating in More Moore include IMEC, CEA Leti, CNRS, TNO, FOM Rijnhuizen, Fraunhofer Institute, ISAN and IPM RAS (Russian Institutes of Science), ENEA, ELETTRA, and NCSR DEMOKRITOS as well as universities of Bielefeld, Mainz, Delft and Birmingham. Members are highly specialised in the key areas of EUVL and work under the coordination of ASML, the leading producer of lithography equipment used for semiconductor manufacturing.)

8.1.5. 2003-2006. INTEL Project.

Από 1-5-2003 – 31-12-2006 ήταν συνεργάτης στο πρόγραμμα του Ινστιτούτου Μικροηλεκτρονικής που χρηματοδοτήθηκε από την INTEL (USA) με αντικείμενο: «Novel Resist Material – Simulation of Molecular Weight Effects on Line-Edge Roughness». Ήταν επιστημονικός υπεύθυνος για την: «Ανάπτυξη μοντέλων / προσομοιώσεων της συμπεριφοράς φωτοπολυμερών για εφαρμογές που απαιτούν χαμηλή πλευρική τραχύτητα». (Λογισμικό σε C++, παραθυρικό περιβάλλον).

Σχετικές δημοσιεύσεις σε περιοδικά: [31, 32, 35]

8.1.6. 2004-2005. PHOTRONICS Project.

Την περίοδο 2004-2005 χρηματοδοτήθηκε από τη Photronics (USA) για εργασία με παραδοτέο: «Προσομοιώσεις ενεργειακής εναπόθεσης από ηλεκτρονική δέσμη – Χρήση Αποτελεσμάτων στην Κατασκευή Μασκών EUV(λ=13nm)». (Λογισμικό σε C++, Mathematica, Matlab).

Σχετικές δημοσιεύσεις σε περιοδικά: [34, 46, 47, 51]

8.1.7. 2003-2007. ΠΕΝΕΔ CMOS-NANO Project.

Συμμετείχε στο ΠΕΝΕΔ 2003 του Ινστιτούτου Μικροηλεκτρονικής με θέμα «Κρίσιμες τεχνολογίες σχηματοποίησης για την κατσκευή CMOS κυκλωμάτων με διάσταση < 100nm σε βιομηχανική κλίμακα (CMOS-NANO)» όπου ήταν συνεπιβλέπων σε δύο διδακτορικές διατριβές (ΔΔ) (με τον Ι. Ράπτη, Ερευνητή Β’, Ινστ. Μικροηλεκτρονικής). Το θέμα των διδακτορικών που ολοκληρώθηκαν επιτυχώς το Μάιο του 2009 ήταν: 1. «Τεχνολογία κατασκευής μασκών λιθογραφίας για τις γενιές Ο.Κ. κρίσιμης διάστασης 65nm και 45nm». Διδάκτορας: Τσικρικάς Νίκος (Φυσικός, Msc Φυσικής), στο ΕΜΠ, Τμήμα Εφαρμοσμένων Φυσικών και Μαθηματικών Επιστημών. 2. «Μελέτη των φυσικοχημικών ιδιοτήτων των λεπτών πολυμερικών υμενίων και η επίδρασή τους στη λιθογραφική συμπεριφορά. Εφαρμογές στη νανολιθογραφία». Διδάκτορας: Δρυγιαννάκης Δημήτρης (Χημ. Μηχανικός), στο ΕΜΠ, Τμήμα Χημικών Μηχανικών. Στην 1η ΔΔ αναπτυχθηκε ολοκληρωμένο λογισμικό που περιλάμβανε προσομοίωση και διαχείριση δεδομένων για την κατασκευή των μασκών. Η ανάπτυξη του λογισμικού έγινε με μεθοδολογίες αντικειμενοστραφούς προγραμματισμού και επιτρέπει την κατασκευή μασκών με χαμηλό κόστος παρά τη σμίκρυνση των διαστάσεων. Η 2η ΔΔ αναφέρεται στη μελέτη λεπτών πολυμερικών υμενίων με εφαρμογή στη μικρο και νάνο λιθογραφία. Συγκεκριμένα, μελετήθηκαν επιφανειακά φαινόμενα με στόχο να κατανοηθούν οι μηχανισμοί εμφάνισης των πολυμερικών υλικών, δημιουργίας τραχύτητας και να εξαχθούν μοντέλα που θα μπορούν να χρησιμοποιηθούν για τη προσομοίωση της λιθογραφικής διεργασίας.

Σχετικές δημοσιεύσεις σε περιοδικά: [34, 41, 43, 45-52]

8.1.8. 2007. PB.NANO Project.

Την περίοδο από 8-4-2007 ως 31-8-2007 χρηματοδοτήθηκε για έρευνα στα πλαίσια της διμερούς συνεργασίας Ελλάδας (Ινστ. Μικροηλεκτρονικής του ΕΚΕΦΕ Δημόκριτος) – Σιγκαπούρης (Centre for Ion Beam Applications (CIBA) Department of Physics, National University of Singapore), στο πρόγραμμα «High aspect ratio metal NANOstructures with Proton Beam lithography on strippable resists (PB.NANO)». Στα αντικείμενα του ερευνητικού έργου ήταν και τα επόμενα:

1. Ανάπτυξη λογισμικού προσομοιωτή σχηματοποίησης/γεωμετρικού σχεδιασμού για λιθογραφία σε παχιά υμένια με δέσμη πρωτονίων.

2. Χρήση τεχνικών Monte Carlo για την περιγραφή της ενεργειακής εναπόθεσης από πρωτόνια στο υμένιο του πολυμερούς και

3. Χρήση στοχαστικών διαδικασιών για τη μοντελοποίηση της διάλυσης και της σχηματοποίησης του υμενίου του πολυμερούς.

8.1.9. 2007. ΝanoPlasma Project.

Την περίοδο από 1-8-2007 ως 31-12-2007 εργάστηκε στο διεθνές ερευνητικό πρόγραμμα «nanoPlasma». (Ινστ. Μικροηλεκτρονικής του ΕΚΕΦΕ Δημόκριτος, European Commision, Oxford Instruments Plasma Technologies). Η εργασία του αφορά τη “Mοριακή προσομοίωση πολυμερών υλικών σε διεργασίες σχηματοποίησης νανο-ηλεκτρονικής”.

8.1.10. 2007-2010. MD3 : Material Development for Double Exposure and Double Patterning Project.

(http://cordis.europa.eu/projects/214948 )

Την περίοδο από 1-10-2007 ως 30-5-2010 εργάστηκε στο διεθνές ερευνητικό πρόγραμμα «MD³ : Material Development for Double Exposure and Double Patterning».

Η εργασία του έχει θέμα:

1. Στοχαστική προσομοίωση λιθογραφίας και εγχάραξης για την ποσοτικοποίηση της πλευρικής τραχύτητας σε δομές μετά από διπλή ακτινοβόληση και διπλή σχηματοποίηση.

2. Χαρακτηρισμός και προσομοίωση πλευρικής τραχύτητας φωτοπολυμερών.

(In order to reach its objectives, MD3 brings together a multidisciplinary team of 7 partners from with complementary skills and strong backgrounds in: photo-resist development (RHEM), lithography simulation (Fraunhofer-IISB, WIAS, NCSR-D), lithography process development and characterization (ST, CEA-LETI) and etching process development (CNRS-LTM).)

Σχετικές δημοσιεύσεις σε περιοδικά: [60, 62, 67]

Ερευνητική/Συγγραφική δραστηριότητα στο Τμήμα Ηλεκτρονικών Μηχανικών του ΤΕΙ Αθήνας (6/2010-2013).

Συνοπτικά:

1. 16 πρόσφατες δημοσιεύσεις σε διεθνή περιοδικά με κριτές.

2. 13 συμμετοχές με ομιλίες ή αφίσα (και σχετική δημοσίευση άρθρου σε πρακτικά) σε διεθνή συνέδρια με κριτές.

3. Πάνω απο 20 κρίσεις σε άρθρα άλλων συγγραφέων για τα περιοδικά στα οποία είναι κριτής.

4. Υπέβαλε πρόταση χρηματοδότησης στο Ίδρυμα Λάτση, με αντικείμενο: «MOSFET gate-variability-effects on device electrical behavior for future technology nodes».

5. Συμμετείχε στην υποβολή δύο προτάσεων ΑΡΧΙΜΗΔΗΣ III. Η πρώτη αφορούσε στην «Ανάπτυξη μικρο-ρευστομηχανικών διατάξεων με ενσωματωμένα ηλεκτρόδια για εφαρμογές στη βιοτεχνολογία και τη διαγνωστική», με επιστημονικό υπεύθυνο τον Δρ. Γ. Καλτσά, Καθηγητή του Τμήματος Ηλεκτρονικών Μηχανικών του ΤΕΙ Αθήνας. Η δεύτερη πρόταση αφορούσε στην «Ανάπτυξη και κλινική αξιολόγηση Ενός οΛοκληρωμένου τρισδιάστατου Προσομοιωτή για τον προσδΙορισμό της δοσιμετρίαΣ στην ακτινοθεραπεία με δέσμη πρωτονίων (ΕΛΠΙΣ)», με επιστημονικό υπεύθυνο τον Δρ. Ε. Βαλαμόντε, Καθηγητή του Τμήματος Ηλεκτρονικών Μηχανικών του ΤΕΙ Αθήνας.

6. Συμμετείχε στην υποβολή δύο προτάσεων ΘΑΛΗΣ. Η πρώτη αφορούσε στην «Ολοκληρωμένη μικρορευστομηχανική διάταξη έξυπνων κυτταρικών αισθητήρων με νανοδομημένες επιφάνειες και ηλεκτρόδια», με επιστημονικό υπεύθυνο τον Δρ. Γ. Καλτσά. Η δεύτερη αφορούσε στον «Ολοκληρωμένος τρισδιάστατος προσομοιωτής προσδιορισμού της δοσιμετρίας στην ακτινοθεραπεία με δέσμη πρωτονίων: Μοντέλα, ανάπτυξη και κλινική αξιολόγηση (ΕΛΠΙΣ)», με επιστημονικό υπεύθυνο τον Δρ. Ε. Βαλαμόντε.

7. Υπέβαλε δύο προτάσεις ΑΡΙΣΤΕΙΑ. Το 2011 με θέμα «Gate Length Variability Modeling in Devices and Circuits for Future Technology Nodes» και το 2012 με θέμα «Gate Length Variability Modeling in Devices and Circuits for Future Technology Nodes - Stochastic Lithography Simulator for VLSI».

Αναλυτικότερα:

8.1.11. 2011-2013. Σχεδίαση – Προσομοίωση αισθητήρων ανίσχνευσης αερίων μέσω αλλαγής διηλεκτρικής σταθεράς.

Αναπτύχθηκε μια μεθοδολογία για την πρόβλεψη της απόκρισης πυκνωτών (chemocapacitors) λόγω της απορρόφησης αερίων (Το διηλεκτρικό του πυκνωτή είναι πολυμερές υλικό το οποίο μπορεί να απορροφά τους ατμούς διαφόρων αερίων οπότε αλλάζει τη διηλεκτρική του σταθερά). Αναπτύχθηκε ένα μοντέλο γεωμετρικής δομής πυκνωτή με «πλεγμένα δάκτυλα» (interdigitated capacitor) και έγινε ηλεκτρομαγνητική μοντελοποίηση του με χρήση πεπερασμένων στοιχείων, στο περιβάλλον του COMSOL (Εικόνα 8.1.11.1).

Εικόνα 8.1.11.1.

Στη συνέχεια προσομοιώθηκε η αλλαγή της χωρητικότητας με τη διηλεκτρική σταθερά για διάφορες γεωμετρίες ώστε να έχουμε σύκριση με πειραματικά δεδομένα (Εικόνα 8.1.12. 2, Εικόνα 8.1.12.4).

Εικόνα 8.1.11.2.

Οι δομές του πυκνωτή και οι ηλεκτρικές μετρήσεις υλοποιήθηκαν στο Ινστ. Μικροηλεκτρονικής του ΕΚΕΦΕ Δημόκριτος (Εικόνα 8.1.11. 3-4).

DSCN1243

Εικόνα 8.1.11.3.

Εικόνα 8.1.11.4.

Σχετικές δημοσιεύσεις σε περιοδικά: [61, 63, 64, 65, 68]

8.1.12. 2010-2013. Σχεδίαση – Προσομοίωση μικρορευ-στομηχανικών διατάξεων μέσω καταγραφής αλλαγών στα χαρακτηριστικά της ροής στα μικροκανάλια

Εικόνα 8.1.12.1.

Στις εργασίες αυτές ο Γ. Π. ΠΑΤΣΗΣ ανέπτυξε το γεωμετρικό μοντέλο των μικρορευστομηχανικών διατάξεων σε περιβάλλον COMSOL και με μεθόδους πεπερασμένων στοιχείων (χρησιμοποιώντας τις εξισώσεις ροής αερίων (Navier – Stokes) και την εξίσωση διάχυσης θερμότητας), προχώρησε σε υπολογισμούς τις μεταβολής της θερμοκρασίας γύρω απο μικροθερμαντήρα καθώς από πάνω του υφίσταται ροή αερίου. Στην Εικόνα 8.1.12.1 και 2 φαίνεται η φυσική κατασκευή των μικροκαναλιών.

Εικόνα 8.1.12.2.

Στην Εικόνα 8.1.12.3 φαίνεται το μοντέλο του μικροκαναλιού. Στην Εικόνα 8.1.12.4 φαίνεται μια ποσοτική κατανομή της θερμοκρασίας στο μικροκανάλι, γύρω από το μικροθερμαντήρα. Με τη μοντελοποίηση αυτή μπορούμε να προβλέψουμε τα χαρακτηριστικά προφίλ της θερμοκρασιακής κατανομής, ταχυτήτων ροής συναρτήσει γεωμετρικών χαρακτηριστικών του μικροκαναλιού.

Εικόνα 8.1.12.2.

Εικόνα 8.1.12.3.

Στην Εικόνα 8.1.12.5 έχουμε σύγκριση προσομοίωσης και πειραματικών μετρήσεων αλλαγής της θερμοκρασίας στο κανάλι συναρτήσει της ροής εισόδου, για συγκεκριμένα γεωμετρικά χαρακτηριστικά μικροκαναλιού. (Οι μετρήσεις έγιναν στο Ινστ. Μικροηλεκτρονικής του ΕΚΕΦΕ Δημόκριτος).

Η εργασία σε αυτή την περιοχή προχώρησε στη μοντελοποίηση της μικρο-ροής εντός μικροκαναλιών που συνδέουν δύο «δεξαμενες» (Εικόνα 8.1.12.6) από τις οποίες στη μία υπάρχει αέριο και η άλλη είναι κενή. (Η πειραματική διάταξη και οι μετρήσεις έγιναν στο τμήμα Μηχανολόγων Μηχανικών του ΕΜΠ).

Εικόνα 8.1.12.5.

Fig

Εικόνα 8.1.12.6.


Εικόνα 8.1.12.7.	Εικόνα 8.1.12.8.

Στην Εικόνα 8.1.12.7 και 8 βλέπουμε τα προφίλ της ταχύτητας ροής του αερίου καθώς εξέρχεται από το μικροκανάλι (θεωρώντας συνθήκες ολίσθησης (slip) και μη ολίσθησης (no-slip) του αερίου στα τοιχώματα, αντίστοιχα).

Στην Εικόνα 8.1.12.9 παρουσιάζονται τα ποσοτικά θεωρητικά αποτελέσματα του προφίλ ταχύτητας και πίεσης (υπό συνθήκες ολίσθησης-ταχύτητας αερίου) κατά μήκος του κεντρικού άξονα ενός μικροκαναλιού (η είσοδος είναι στο 0.015m και η έξοδος στο 0m).

Fig

Εικόνα 8.1.12.9.

Η εργασία αυτή έχει ιδιαίτερη σημασία για την καλή περιγραφή της συμπεριφορας των MEMS-NEMS καθώς οι διαστάσεις του μειώνονται, όταν σε αυτά κινούνται αέρια εντός μικροκαναλιών (Εικόνα 8.1.12.10).

Fig

Εικόνα 8.1.12.10.

Σχετικές δημοσιεύσεις σε περιοδικά: [61, 66, 69, 71]

9. ΣΥΝΕΡΓΑΤΕΣ

Ακολουθεί μια λίστα με τους Έλληνες ερευνητές-καθηγητές με τους οποίους κατά καιρούς έχει συνεργαστεί ο Γ. Π. ΠΑΤΣΗΣ και έχουν κοινά δημοσιευμένες εργασίες.

1. Παναγιώτης Αργείτης (Ερευνητής, ΕΚΕΦΕ ΔΗΜΟΚΡΙΤΟΣ)

http://imel.demokritos.gr/staffpages/Argitis/index.shtml

2. Ευάγγελος Γογγολίδης (Ερευνητής, ΕΚΕΦΕ ΔΗΜΟΚΡΙΤΟΣ)

http://imel.demokritos.gr/staffpages/Gogolides/index.shtml

3. Νίκος Γλέζος (Ερευνητής Α, ΕΚΕΦΕ ΔΗΜΟΚΡΙΤΟΣ)

http://imel.demokritos.gr/staffpages/Glezos/index.shtml

4. Ιωάννης Ράπτης (Ερευνητής, ΕΚΕΦΕ ΔΗΜΟΚΡΙΤΟΣ)

http://imel.demokritos.gr/staffpages/Raptis/index.shtml

5. Αγγελική Τσερέπη (Ερευνητής, ΕΚΕΦΕ ΔΗΜΟΚΡΙΤΟΣ)

http://imel.demokritos.gr/staffpages/Tserepi/index.shtml

6. Βασίλης Κωνσταντούδης (Ερευνητής, ΕΚΕΦΕ ΔΗΜΟΚΡΙΤΟΣ)

http://imel.demokritos.gr/staffpages/Constantoudis/index.shtml

7. Βασίλειος Ιωάννου-Σουγλερίδης (Ερευνητής Α, ΕΚΕΦΕ ΔΗΜΟΚΡΙΤΟΣ)

http://imel.demokritos.gr/staffpages/Ioannou/index.shtml

8. Γεώργιος Κόκκορης (Ερευνητής, ΕΚΕΦΕ ΔΗΜΟΚΡΙΤΟΣ)

http://imel.demokritos.gr/staffpages

9. Βαλαμόντες Ευάγγελος (Καθηγητής, ΤΕΙ Αθήνας)

http://users.teiath.gr/vala/

10. Καλτσάς Γρηγόριος (Καθηγητής, ΤΕΙ Αθήνας)

http://users.teiath.gr/microsenses/Staff.html

11. Κεχράκος Δημήτριος (Καθηγητής, ΑΣΠΑΙΤΕ)

http://science.aspete.gr/staff/dkehrakos/index.htm

10. ΜΕΛΛΟΝΤΙΚΑ ΕΡΕΥΝΗΤΙΚΑ ΠΛΑΝΑ

10.1. Συνέχεια ερευνητικής δραστηριότητας με έμφαση στη σχεδίαση μοντελοποίηση διατάξεων με εμπορικά πακέτα λογισμικού πεπερασμένων στοιχείων (COMSOL, ANSYS), ώστε να ενσωματωθεί σε αυτή και ένας αριθμός από τους μεταπτυχιακούς φοιτητές του Τμήματος Ηλεκτρονικών Μηχανικών του ΤΕΙ Αθήνας. Ειδικότερα ενδιαφέρει η περιγραφή και η πρόβλεψη συμπεριφοράς διατάξεων «ενός ηλεκτρονίου» (Εικόνα 10.1).

Εικόνα 10.1. Μοντέλο τρανζίστορ «ενός-ηλεκτρονίου».

10.2. Συνέχεια θεμάτων σχεδίασης – μοντελοποίησης μικρορευστομηχανικών διατάξεων.

Συνθήκες επίτευξης ταχύτερης ανάμιξης ή ρύθμισης του ρυθμού ανάμιξης ουσιών: Η ιδέα να επιτύχουμε ταχύτερη ανάμιξη χρησιμοποιώντας την τραχύτητα, φαίνεται στο επόμενο σχήμα. Στην Εικόνα 10.2.a απεικονίζεται η γεωμετρία του μικροκαναλιού χωρίς τραχύτητα, όπου από τα δύο άκρα στα αριστερά διοχετεύεται ρευστό με μηδενική συγκέντρωση στο πάνω άκρο και συγκέντρωση 1mol/cm³ στο κάτω άκρο (βλέπε Εικόνα 10.2.b). Παρατηρούμε ότι η ροή κατά μήκος του οριζόντιου καναλιού μήκους περίπου 1μm, είναι στρωτή και δεν υπάρχει ουσιαστική ανάμιξη της ουσίας. Στην Εικόνα 10.2.c, στη βάση του καναλιού έχουν σχεδιαστεί “σκαλιά”, και μέσω προσομοίωσης θα αναζητηθεί το κατάλληλο ύψος και μεταξύ τους απόσταση, ώστε να δημιουργηθεί ικανός αριθμός στροβίλων για να οδηγήσει στην επίτευξη ανάμιξης χωρίς να χρειαστεί να αλλάξει το μήκος του καναλιού (Εικόνα 10.2.d).

(a)

(b)

(c)

(d)

Εικόνα 10.2. Μοντελοποίηση συνθηκών επίτευξης ταχύτερης ανάμιξης ή ρύθμισης του ρυθμού ανάμιξης ουσιών.

Προσομοίωση της επίδρασης τραχύτητας των μικροκαναλιών στη ροή: θα μελετηθεί η επίδραση της τραχύτητας των μικροκαναλιών στο πεδίο ροής και πίεσης. Ένα κρίσιμο θέμα της προσομοίωσης είναι η εισαγωγή της τραχύτητας στα γεωμετρικά μοντέλα. Δεδομένου ότι οι διαστάσεις στο πεδίο της τραχύτητας είναι της τάξης των nm ενώ τα μικροκανάλια είναι της τάξης των δεκάδων μm θα πρέπει να βελτιστοποιηθεί η διάτμηση (messing) των γεωμετρικών μοντέλων. Για το λόγο αυτό θα μελετηθεί η δυνατότητα εισαγωγής της επίδρασης της τραχύτητας μέσω συνοριακών συνθηκών, γεγονός που θα επιφέρει μια αρκετά μεγαλύτερη ευελιξία στην ανάλυση του προβλήματος. Σαν συνοριακές συνθήκες μπορεί να χρησιμοποιηθούν είτε επιφάνειες με προκαθορισμένη μη τυχαία γεωμετρία (π.χ. μικροκολώνες συγκεκριμένων διαστάσεων και αποστάσεων πάνω σε επίπεδη επιφάνεια), είτε επιφάνειες με τυχαία γεωμετρία. Τυχαίες επιφάνειες μπορούν να είναι είτε πειραματικές (π.χ. Επιφάνειες μετρημένες με μικροσκόπιο ατομικής δύναμης), είτε επιφάνειες που παράγονται από αλγορίθμους και έχουν συγκεκριμένες παραμέτρους (τραχύτητα, μήκος συσχέτησης, μορφοκλασματική διάσταση). Επιπρόσθετα θα μελετηθεί η δυνατότητα σύνδεσης της τραχύτητας των επιφανειών με την υδροφιλικότητα μέσω της προσομοίωσης. Τα θεωρητικά αποτελέσματα θα συσχετιστούν με τα αντίστοιχα πειραματικά έτσι ώστε να δομηθεί μια «βιβλιοθήκη» θεωρητικής περιγραφής των συγκεκριμένων ιδιοτήτων των μικροκαναλιών με την τραχύτητα.

Προσομοίωση μικρορευστομηχανικών διατάξεων: Η πλατφόρμα λογισμικού COMSOL Multiphysics θα χρησιμοποιηθεί για το σχεδιασμό και τη μοντελοποίηση με πεπερασμένη στοιχεία (FEM) των υπο μελέτη γεωμετριών. Το λογισμικό αυτό δίνει τη δυνατότητα τόσο για 2D όσο και για 3D προσομοίωση. Πέρα από τις σύνθετες γεωμετρίες μπορεί να λάβει υπόψη του το είδος των υλικών που θα χρησιμοποιηθούν, ενώ περιέχει βιβλιοθήκες με εκατοντάδες παραμέτρους των υλικών (φυσικές, χημικές, μηχανικές κτλ) ως συνάρτηση διαφόρων παραμέτρων, όπως της θερμοκρασίας, ενώ υπάρχει η δυνατότητα για τον ορισμό νέων συναρτήσεων ιδιοτήτων. Η επιθυμητή γεωμετρία σχεδιάζεται στο περιβάλλον του COMSOL κάνοντας χρήση της έννοιας των επιπέδων-εργασίας (work planes) και στη συνέχεια «με-εξαγωγή» (extrude) δημιουργούμε την τρίτη διάσταση. Η δομή στη συνέχεια χωρίζεται αυτόματα σε πεπερασμένα στοιχεία και ακολουθεί η εισαγωγή των εξισώσεων που διέπουν το πεδίο προσομοίωσης, καθώς και οι συνοριακές συνθήκες. Σε προβλήματα ροής ουσιών σε υγρή ή αέρια μορφή χρειάζεται να λύσουμε το συζευγμένο σύστημα των εξισώσεων Navier – Stokes με την εξίσωση Διάχυσης. Μέχρι στιγμής έχει αποκτηθεί μια σχετική εμπειρία στη χρήση του εν λόγω λογισμικού για την προσομοίωση ροής πάνω από θερμαντικά στοιχεία (αντιστάσεις) και την εξαγωγή της ταχύτητας ροής του ρευστού, μέσω των αλλαγών στο προφίλ του πεδίου της θερμοκρασίας με τη θέση μέσα στο χώρο του αισθητήρα. Στην Εικόνα 10.2.e, φαίνεται ένα παράδειγμα 3D προσομοίωσης για τον υπολογισμό του θερμοκρασιακού πεδίου σε ένα μικροκανάλι «χαραγμένο» με λιθογραφία σε ρητίνη SU-8. Το κανάλι έχει απομονωθεί στην πάνω επιφάνειά του με ένα στρώμα PMMΑ. Η διάταξη βρίσκεται πάνω σε πλακέτα PCB από την οποία διέρχονται γραμμές Pt που λειτουργούν ως θερμαντικά στοιχεία. Στο σχήμα φαίνεται μια τομή αυτής της διάταξης, όπου η θερμοκρασία του μεσαίου αντιστάτη είναι 350K, των δύο άλλων είναι 300K, ενώ η θερμοκρασία των υπόλοιπων σημείων θεωρείται αρχικά 293K. Θεωρώντας ροή αέρα μέσα στο κανάλι από αριστερά προς τα δεξιά και επιλύοντας το συζευγμένο σύστημα των εξισώσεων Navier – Stokes, εξίσωση διάχυσης – μεταγωγής θερμότητας (εισάγοντας κατάλληλα τις συνοριακές συνθήκες), υπολογίζουμε το θερμοκρασιακό πεδίο σε κάθε σημείο της διάταξης. Φαινόμενα αλλαγής της πυκνότητας του ρευστού που κινείται στο μικροκανάλι λόγω της θέρμανσης από τις αντιστάσεις λαμβάνονται υπόψη, μέσω της επίδρασης της θερμοκρασίας στην ταχύτητα του ρευστού (δύναμη θερμικής άνωσης).

cid:image001.png@01CA99F6.2F08C970

Εικόνα 10.2.e. Παράδειγμα 3D προσομοίωσης για τον υπολογισμό του θερμοκρασιακού πεδίου σε ένα μικροκανάλι «χαραγμένο» με λιθογραφία σε ρητίνη SU-8, με χρήση του λογισμικού COMSOL.

10.3. Μια νέα συνεργασία έχει ξεκινήσει αρχές του 2014 με τον Δρ. Κεχράκο Δημήτρη (Αναπλ. Καθηγητής, ΑΣΠΑΙΤΕ) στην περιοχή της μοντελοποίησης μαγνητικών νανοσωματιδίων (Εικόνα 10.3).

Εικόνα 10.3. Στιγμιότυπο διαμόρφωσης σπινς σε τομή πυρήνα/κελύφους νανοσωματιδίου προσομοιωμένο για h=4K, Jint=-5K, dco=5, dsh=3 [Wu, Li, Liu, J. Phys. Condens. Matter 19 (20007) 186202]

10.4. Μια νέα συνεργασία έχει ξεκινήσει αρχές του 2014 με τον Δρ. Βασίλη Κωνσταντούδη (Ερευνητής, ΕΚΕΦΕ Δημόκριτος) για μοντελοποίηση της πλευρικής τραχύτητας οπών διασυνδέσεων σε ολοκληρωμένα κυκλώματα με χρήση λιθογραφίας ηλεκτρονικής δέσμης (Εικόνα 10.5).

Εικόνα 10.5. Εικόνα SEM κάτοψης οπής διασύνδεσης επιπέδων μετάλλου για διασύνδεση σε ολοκληρωμένα κυκλώματα [Kumar, Constantoudis, Gogolides, MNE 2010].

10.5. Τέλος, η ερευνητική εργασία που είναι συνέχεια των προηγούμενων ετών συνεχίζεται εντοπισμένη στα θέματα που περιγράφονται στην πρόταση που υποβλήθηκε στα πλαίσια της ΑΡΙΣΤΕΙΑΣ ΙΙ (η πρόταση δεν πέρασε στη δεύτερη φάση. Πήρε μέση βαθμολογία 2.5/4).

11. ΔΙΔΑΚΤΙΚΗ ΕΜΠΕΙΡΙΑ

11.1. Συνοπτική περιγραφή της διδακτικής εμπειρίας στην τριτοβάθμια εκπαίδευση

1	ΤΕΙ ΑΘΗΝΑΣ– Τμήμα Ηλεκτρονικής (Ηλεκτρονικών Μηχανικών)	Επίκουρος καθηγητής. Διδασκαλία των μαθημάτων: α) Ηλεκτρονικά ΙΙΙ (θεωρία) β) Ψηφιακά Ηλεκτρονικά (θεωρία) γ) Εργαστήριο Ψηφιακών Ηλεκτρονικών	Εκλογή στη θέση του Επίκουρου Καθηγητή στις 2/4/2009. Αντικείμενο θέσης: «Αναλογικά Ηλεκτρονικά» Ορκωμοσία 16/6/2010
2	ΤΕΙ ΠΕΙΡΑΙΑ – Τμήμα Ηλεκτρονικής (Ηλεκτρονικών Μηχανικών)	Επιστημονικός Συνεργάτης. Διδασκαλία του μαθήματος: α) Σχεδίαση Κυκλωμάτων RF (θεωρία), β) Εργαστήριο Ηλεκτρονικών RF, γ) Εργαστήριο Μικροελεγκτών	1-10-2008 έως 5-7-2009	9 μήνες
3	ΤΕΙ ΑΘΗΝΑΣ – Τμήμα Ηλεκτρονικής (Ηλεκτρονικών Μηχανικών)	Επιστημονικός Συνεργάτης. Διδασκαλία των μαθημάτων: α) Ηλεκτρονικά ΙΙΙ (θεωρία) β) Εργαστήριο Ψηφιακών Ηλεκτρονικών	1-10-2008 έως 5-7-2009	9 μήνες
4	ΣΧΟΛΗ ΤΕΧΝΙΚΩΝ ΥΠΑΞΙΩΜΑΤΙΚΩΝ ΑΕΡΟΠΟΡΙΑΣ (ΣΤΥΑ)	Ωρομίσθιος καθηγητής μαθημάτων ενότητας ΣΤ1 (Ηλεκτρονικά, Τηλεπικοινωνίες, Αρχιτεκτονική ΗΥ)	1-9-2005 έως 31-8-2006 - 1-9-2006 έως 31-8-2007	24 μήνες
5	128 Σ.Ε.Τ.Η. ΠΟΛΕΜΙΚΗ ΑΕΡΟΠΟΡΙΑ	Ωρομίσθιος καθηγητής μαθημάτων ενότητας ΕΠΟΠ ειδικότητας Τεχνικών Τηλεπι/ών	14-3-2006 έως 9-5-2006	2 μήνες
6	ΤΕΙ ΠΕΙΡΑΙΑ – Τμήμα Ηλεκτρονικής (Ηλεκτρονικών Μηχανικών)	Επιστημονικός Συνεργάτης. Διδασκαλία του μαθήματος: Σχεδίαση Κυκλωμάτων RF	9-10-2006 έως 5-7-2007 - 9-10-2007 έως 5-7-2008	18 μήνες
7	ΤΕΙ ΑΘΗΝΑΣ – Τμήμα Ηλεκτρονικής (Ηλεκτρονικών Μηχανικών)	Επιστημονικός Συνεργάτης. Διδασκαλία των μαθημάτων: Προγραμμα/μός Ι και ΙΙ	9-10-2007 έως 5-7-2008	9 μήνες
8	ΤΕΙ ΑΘΗΝΑΣ – Τμήμα Ηλεκτρονικής (Ηλεκτρονικών Μηχανικών)	Επιστημονικός Συνεργάτης. Διδασκαλία του μαθήματος: Ψηφιακά Ηλεκτρονικά	9-10-2006 έως 5-7-2007	9 μήνες
9	ΠΑΝΕΠΙΣΤ. ΑΘΗΝΩΝ ΤΜΗΜΑ ΠΛΗΡΟΦΟΡ. ΚΑΙ ΕΚΕΦΕ ΔΗΜΟΚΡΙΤΟΣ (ΙΝΣΤ. ΜΙΚΡΟ/ΚΗΣ)	Διδασκαλία στο μεταπτυχιακό της Μικροηλεκ/κής (Υπολογιστικές μέθοδοι)	Χειμερινό, εξάμηνο 2002-2003 2003-2004 2004-2005 2005-2006	4 εξάμηνα
10	ΠΑΝΕΠΙΣΤ. ΑΘΗΝΩΝ ΤΜΗΜΑ ΠΛΗΡΟΦΟΡ. ΚΑΙ ΕΚΕΦΕ ΔΗΜΟΚΡΙΤΟΣ (ΙΝΣΤ. ΜΙΚΡΟ/ΚΗΣ)	Διδασκαλία στο μεταπτυχιακό της Μικροηλεκ/κής (Προσομοίωση διεργασιών και διατάξεων)	Εαρινό εξάμηνο 2005-2006 2006-2007 2008-2009 2009-2010	4 εξάμηνα

11.2.Διδασκαλία σε προπτυχιακό επίπεδο

Το 2005 και το 2006 δίδαξε ως καθηγητής στη ΣΤΥΑ (Σχολή Τεχνικών Υπαξιωματικών Αεροπορίας). Διδάξε τη θεωρία και τα εργαστήρια των εξής μαθημάτων: «Αναλογικά Ηλεκτρονικά Ι», «Αναλογικά Ηλεκτρονικά ΙΙ», «Ηλεκτρονικά ΙΙ», «Θεωρία Ηλεκτρονικών Κυκλωμάτων».

Το εαρινό εξάμηνο του 2006 δίδαξε τη θεωρία και τα εργαστήρια «Ηλεκτρονικών» της σειρά ΕΠΟΠ Ειδικότητας Τηλεπικοινωνιών/Ηλεκτρονικών της 128/ΣΕΤΗ μονάδας Αεροπορίας στο Καβούρι.

Από το 2006 διδάσκει ως επιστημονικός συνεργάτης στο τμήμα Ηλεκτρονικής του ΤΕΙ Αθήνας: Το 2006 τη θεωρία του μαθήματος «Ψηφιακά Ηλεκτρονικά», το 2007 τη θεωρία των μαθημάτων «Προγραμματισμός C++ I» και «Προγραμματισμός C++ II», το 2008 τη θεωρία του μαθήματος «Ηλεκτρονικά ΙΙΙ» και τα εργαστήρια του μαθήματος «Ψηφιακά Ηλεκτρονικά».

Από το 2006 διδάσκει ως επιστημονικός συνεργάτης του τμήματος Ηλεκτρονικής του ΤΕΙ Πειραιά τη θεωρία του μαθήματος «Σχεδιασμός Κυκλωμάτων RF». Επιπρόσθετα, το 2008 δίδαξε το εργαστήριο του «Σχεδιασμού Κυκλωμάτων RF» και το εργαστήριο «Μικρουπολογιστών/ Μικροελεγκτών».

Το 2007 επελέγει ως καθηγητής Π.Δ. 407/80 στο Πανεπιστήμιο Πελλοπονήσου, στο Τμήμα Τεχνολογίας Τηλεποικοινωνιών στα μαθήμα της «Αρχιτεκτονικής Υπολογιστών» και του «Σχεδιασμού Κυκλωμάτων VLSI». (Ωστόσο δε δόθηκαν τα απαιτούμενα κονδύλια από το υπουργείο και τελικά δε δίδαξε τα παραπάνω μαθήματα).

11.3.Διδασκαλία σε μεταπτυχιακό επίπεδο

Την περίοδο 1997-2000 δίδαξε το εργαστηριακό μέρος του μάθηματος «Υπολογιστική Φυσική» του μεταπτυχιακού Μικροηλεκτρονικής που αφορά την εφαρμογή μεθόδων αριθμητικής ανάλυσης με προγραμματισμό σε C++ , MATHEMATICA και Java. Οι σημειώσεις του εργαστηρίου αυτού ενσωματώθηκαν στο εγχειρίδιο με τίτλο Υπολογιστική Φυσική που διατίθεται στους μεταπτυχιακούς φοιτητές του προγράμματος. Από το 2002 και μέχρι το 2006 ήταν κύριος διδάσκων του μαθήματος της «Υπολογιστικής Φυσικής και Υπολογιστικών Μεθόδων» στα μεταπτυχιακά προγράμματα σπουδών Μικροηλεκτρονικής (Τμήμα Πληροφορικής, Π.Α.) και Φυσικής (Τμήμα Εφαρμοσμένων Μαθηματικών και Φυσικών Επιστημών, ΕΜΠ) αντίστοιχα, στα προγράμματα των οποίων το μάθημα αυτό παραδίδεται ως επιλογή.

Την περίοδο 2006-2009 δίδαξε το μαθήμα «Προσομοίωση διεργασιών και διατάξεων μικροηλεκτρονικής» του 2^ου εξαμήνου του μεταπτυχιακού της Μικροηλεκτρονικής (ΕΚΕΦΕ Δημόκριτος, Τμήμα Πληροφορικής ΕΚΠΑ).

Από το 2012 διδάσκει στο μεταπτυχιακό των Προηγμένων Ηλεκτρονικών Συστημάτων του Τμήματος Ηλεκτρονικών Μηχανικών του ΤΕΙ Αθήνας στο μάθημα των «Ολοκληρωμένων και Κβαντικών Ηλεκτρονικών» (1^ο εξάμηνο) και στο μάθημα της «Νανοηλεκτρονικής και Εφαρμογές» (3^ο εξάμηνο).

11.4.Επίβλεψη εργασιών φοιτητών

1. Προσομοίωση διάλυσης λεπτών υμενίων πολυμερών μικρολιθογραφίας με στοχαστικά μοντέλα σε δύο διαστάσεις, Σαρρής Βασίλης, 2002, Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο, Σχολή Χημικών μηχανικών. (Πτυχιακή εργασία). Συνεπιβλέπων με τον Ε. Γογγολίδη.

2. Προσομοίωση διάλυσης λεπτών υμενίων πολυμερών μικρολιθογραφίας με στοχαστικά μοντέλα σε τρεις διαστάσεις, Σαρρής Βασίλης, 2003, Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο, Σχολή Χημικών μηχανικών. (Μεταπτυχιακή εργασία στα πλαίσια του μεταπτυχιακού της Υπολογιστικής Μηχανικής, ΕΜΠ, Τμήμα Χημικών Μηχανικών). Συνεπιβλέπων με τον Ε. Γογγολίδη.

3. Στη ΣΤΥΑ το εαρινό εξάμηνο του 2006 επέβλεψε εργασία 6 δοκίμων στα πλαίσια της ειδικότητας των ΤΗ με αντικείμενο: «Συλλογή και επεξεργασία σημάτων σε πραγματικό χρόνο με χρήση LABVIEW». Υπεύθυνος Αξ/κος ΣΤΥΑ: Μπούλιας Χρήστος.

4. «Περιγραφή λειτουργίας CMOS τρανζίστορς με ενσωματωμένα μοντέλα πλευρικής τραχύτητας πύλης», Μανώλης Κυριάκος, Τμήμα Φυσικής, ΕΚΠΑ, Πτυχιακή Εργασία. (Υπεύθυνος στο τμήμα Φυσικής: Κ. Αϊδίνης), 2007.

5. «Σχεδίαση/Προσομοίωση Τετράμπιτου Μικροεπεξεργαστή», Μανώλης Κλεισιάρης, Παναγιώτης Καρανίκας, Πτυχιακή Εργασία, Τμήμα Ηλεκτρονικής, ΤΕΙ Αθήνας, 2007.

6. «Σχεδίαση/Προσομοίωση Μνημών Ψηφιακών Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων με Verilog/VHDL», Νίκος Νίκολάου, Τμήμα Ηλεκτρονικής, Πτυχιακή Εργασία, ΤΕΙ Αθήνας, 2007.

7. «Προσομοίωση Ημιαγωγικών Διατάξεων με το ΜΙΝΙΜΟS. Ανάπτυξη διεπιφάνειας χειρισμού του MINIMOS σε περιβάλλον MATLAB για την προσομοίωση τριδιάστατων δομών MOSFET», Αθανάσιος Καρούμπας, Πτυχιακή Εργασία Μεταπτυχιακού Μικροηλεκτρονικής, Τμήμα Πληροφορικής, 2007.

8. «Τεχνολογία κατασκευής μασκών λιθογραφίας για τις γενιές Ο.Κ. κρίσιμης διάστασης 65nm και 45nm», Τσικρίκας Νίκος, Σχολή Εφαρμοσμένων Μαθηματικών και Φυσικών Επιστημών, ΕΜΠ. Διδακτορική διατριβή. Συνεπιβλέπων τον με Ι. Ράπτη. (Στο ΕΜΠ επιβλέπων ο Δ. Τσουκαλάς), 2009.

9. «Μελέτη των φυσικοχημικών ιδιοτήτων των λεπτών πολυμερικών υμενίων και η επίδρασή τους στη λιθογραφική συμπεριφορά», Δρυγιαννάκης Δημήτρης, Σχολή Χημικών Μηχανικών, ΕΜΠ. Διδακτορική διατριβή. Συνεπιβλέπων με τον Ι. Ράπτη. (Στο ΕΜΠ επιβλέπων ο Α. Μπουντουβής), 2009.

10. «Δημιουργία εικονικού εργαστηρίου Ψηφιακών Ηλεκτρονικών σε περιβάλλον ΤΙΝΑ PRO», Ντίνος Χαράλαμπος, Τμήμα Ηλεκτρονικής, ΤΕΙ Αθήνας, 2009-2010.

11. «Σχεδίαση – Προσομοίωση Κυκλωμάτων Εργαστηρίου Ηλεκτρονικών ΙΙΙ», Χουσάκος Βασίλης, Πτυχιακή Εργασία, Τμήμα Ηλεκτρονικής, ΤΕΙ Πειραιά, 2008-2010.

12. «Προσομοίωση Ψηφιακών Συστημάτων με τη γλώσσα Verilog, σε περιβάλλον SynaptiCAD», Τσιλιπάνου Μαρία, Τμήμα Ηλεκτρονικής, ΤΕΙ Αθήνας, 2010-2012.

13. «Σχεδίαση – προσομοίωση κυκλωμάτων μικροεπεξεργαστών (AVR) με το λογισμικό FLOWCODE 4 και το PROTEUS», Πρίντεζης Πέτρος και Κυριάκης Κυριάκου, Πτυχιακή Εργασία, Τμήμα Ηλεκτρονικής, ΤΕΙ Αθήνας, 2010-2012.

14. «Σχεδίαση Ψηφιακών/Αναλογικών/Μικτών Συστημάτων σε περιβάλλον Simplorer με τη VHDL-AMS», Νιάκαρος Ευάγγελος και Ντούλιας Γεώργιος, Πτυχιακή Εργασία, Τμήμα Ηλεκτρονικής, ΤΕΙ Αθήνας, 2010-2012.

15. «Σχεδίαση/Προσομοίωση Ηλεκτρονικών Ταλαντωτών σε περιβάλλον Agilent Advance Design System (ADS) με τη VHDL-AMS», Στάθης Θεόδωρος και Μακρής Σπυρίδων, Πτυχιακή Εργασία, Τμήμα Ηλεκτρονικής, ΤΕΙ Αθήνας, 2012-2013.

16. «Προσομοίωση φωτοβολταϊκών διατάξεων με το λογισμικό PC1D», Κελλίδης Νικόλαος, Κατσούρης Παναγιώτης, Πτυχιακή Εργασία, Τμήμα Ηλεκτρονικής, ΤΕΙ Αθήνας, 2012-2013.

17. «Σχεδίαση-Προσομοίωση Ψηφιακών Κυκλωμάτων με VHDL σε περιβάλλον Simili EDA», Χατζηδημητρίου Παναγιώτης, Πτυχιακή Εργασία, Τμήμα Ηλεκρονικών Μηχανικών ΤΕΙ Αθήνας, 2012-2013.

18. «Σχεδίαση – Προσομοίωση Μικροηλεκτρονκών Διατάξεων με VHDL-AMS σε περιβάλλον Ansoft Simplorer», Κυριακάκης Άγγελος Πτυχιακή Εργασία, Τμήμα Ηλεκρονικών Μηχανικών ΤΕΙ Αθήνας, 2013-2014.

19. «Σχεδίαση-Προσομοίωση Ψηφιακών Κυκλωμάτων Εργαστηρίου Ψηφιακών Ηλεκτρονικών με VHDL σε περιβάλλον Simili EDA και TINA Pro», Δοντάς Παύλος, Πτυχιακή Εργασία, Τμήμα Ηλεκρονικών Μηχανικών ΤΕΙ Αθήνας, 2013-2014.

20. «Σχεδίαση – Προσομοίωση Ηλεκτρικών – Ηλεκτρονικών Κυκλωμάτων σε περιβάλλον Matlab και TINA-Pro», Σταμάτας Αντώνιος, Πτυχιακή Εργασία, Τμήμα Ηλεκρονικών Μηχανικών ΤΕΙ Αθήνας, 2013-σε εξέλιξη.

21. «Σχεδίαση – Προσομοίωση Διάταξης Τρανζίστορ Ενός Ηλεκτρονίου με SPICE σε περιβάλλον ΤΙΝΑ Pro», Δημόπουλος Δημήτριος, Πτυχιακή Εργασία, Τμήμα Ηλεκρονικών Μηχανικών ΤΕΙ Αθήνας, 2013-σε εξέλιξη.

22. «Σχεδίαση – Προσομοίωση Μικροεπεξεργαστή με VHDL και υλοποίηση σε Microwin-Dsch», Καλλιανιώτης Δημήτριος, Πτυχιακή Εργασία, Τμήμα Ηλεκρονικών Μηχανικών ΤΕΙ Αθήνας, 2013-σε εξέλιξη.

23. «Σχεδίαση – Προσομοίωση Διάταξεων Τρανζίστορ Ενός Ηλεκτρονίου με VHDL-AMS σε περιβάλλον Ansoft Simplorer», Παινέσης Κων/νος, Μεταπτυχιακή Εργασία, Τμήμα Ηλεκρονικών Μηχανικών ΤΕΙ Αθήνας, 2014.

11.5.Διδασκαλία στη δευτεροβάθμια εκπαίδευση

Ως καθηγητής μέσης εκπαίδευσης εργάστηκε από το 1992 σε φροντιστήρια μέσης εκπαίδευσης καθώς και σε ιδιωτικά κολέγια. Διδάσκει Φυσική, Μαθηματικά, Χημεία, Επιστήμη Υπολογιστών, Ανάπτυξη Εφαρμογών σε Προγραμματιστικό Περιβάλλον, τόσο στην ελληνική όσο και στην αγγλική γλώσσα. Επίσης έχει εργαστεί σε φροντιστήρια FUTUREKIDS διδάσκοντας Windows, Office Programs, Microsoft Publisher με σκοπό την προετοιμασία για εξετάσεις ECDL.

Έχει συγγράψει βοηθητικά εγχειρίδια για όλα τα προηγούμενα μαθήματα. Ενδεικτικά παρατίθεται το «Εισαγωγικές Σημειώσεις στη Θεωρία Επικοινωνιών και στην Επίλυση Προβλημάτων με Αλγορίθμους».

Αναφέρονται τα φροντιστήρια, στα οποία έχει εργαστεί:

1.Φροντιστήριο ΑΙΧΜΗ, Αγ. Θεόδωροι, Κορινθίας (1993-1996)

2.Φροντιστήριο Εμμ. Στογιάννης, Χολαργός (1996-1999)

3.Φροντιστήριο Δ. Παναγάκος, Αγ. Παρασκευή (2002-2004)

11.6. Διδακτικές σημειώσεις – Εκαπιδευτικό υλικό σε μορφή βιβλίου

Α/Α	Τίτλος
1.	Εισαγωγή στον Προγραμματισμό σε Mathematica, 1998, (Μεταπτυχιακό Μικροηλεκτρονικής, Μεταπτυχιακό Μικροηλεκτρονικής (ΕΚΠΑ), Μετατπυχιακό Φυσικής (ΣΕΜΦΕ,ΕΜΠ)).
2.	Introduction to Matlab Programming, 2003, (Μεταπτυχιακό Μικροηλεκτρονικής, Μεταπτυχιακό Μικροηλεκτρονικής (ΕΚΠΑ), Μετατπυχιακό Φυσικής (ΣΕΜΦΕ,ΕΜΠ))
3.	Introduction to Java, 1997, (Μεταπτυχιακό Μικροηλεκτρονικής, Μεταπτυχιακό Μικροηλεκτρονικής (ΕΚΠΑ), Μετατπυχιακό Φυσικής (ΣΕΜΦΕ,ΕΜΠ)).
4.	Εισαγωγή στη C++, 1998 (Μεταπτυχιακό Μικροηλεκτρονικής, Μεταπτυχιακό Μικροηλεκτρονικής (ΕΚΠΑ), Μετατπυχιακό Φυσικής (ΣΕΜΦΕ,ΕΜΠ)).
5.	Lessons in C++, 2003 (Μεταπτυχιακό Μικροηλεκτρονικής, Μεταπτυχιακό Μικροηλεκτρονικής (ΕΚΠΑ), Μετατπυχιακό Φυσικής (ΣΕΜΦΕ,ΕΜΠ)).
6.	Lessons in Visual C++, 2003 (Μεταπτυχιακό Μικροηλεκτρονικής, Μεταπτυχιακό Μικροηλεκτρονικής (ΕΚΠΑ), Μετατπυχιακό Φυσικής (ΣΕΜΦΕ,ΕΜΠ)).
7.	Numerical Analysis I, II, 2003 (Μεταπτυχιακό Μικροηλεκτρονικής, Μεταπτυχιακό Μικροηλεκτρονικής (ΕΚΠΑ), Μετατπυχιακό Φυσικής (ΣΕΜΦΕ,ΕΜΠ)).
8.	Εισαγωγικές Σημειώσεις και Εκπαιδευτικό Υλικό στην Τεχνολογία Επικοινωνιών και στην Επίλυση Προβλημάτων με Αλγόριθμους, 2003.
9.	Σημειώσεις και Εκπαιδευτικό Υλικό στις Μεθόδους Υπολογιστικής Φυσικής, 2003 (Μεταπτυχιακό Μικροηλεκτρονικής, Μεταπτυχιακό Μικροηλεκτρονικής (ΕΚΠΑ), Μετατπυχιακό Φυσικής (ΣΕΜΦΕ,ΕΜΠ)).
10.	Σημειώσεις και Εκπαιδευτικό Υλικό στις Μεθόδους Προσομοίωσης Διεργασιών και Διατάξεων Μικροηλεκτρονικής, 2005 (Μεταπτυχιακό Μικροηλεκτρονικής, Μεταπτυχιακό Μικροηλεκτρονικής (ΕΚΠΑ), Μετατπυχιακό Φυσικής (ΣΕΜΦΕ,ΕΜΠ)).
11.	Σημειώσεις και Εκπαιδευτικό Υλικό Αναλογικών Ηλεκτρονικών Ι, 2005 (Σχολή Τεχνικών Υπαξιωματικών Αεροπορίας (ΣΤΥΑ)).
12.	Σημειώσεις και Εκπαιδευτικό Υλικό Αναλογικών Ηλεκτρονικών ΙΙ, 2005 (Σχολή Τεχνικών Υπαξιωματικών Αεροπορίας (ΣΤΥΑ)).
13.	Σημειώσεις και Εκπαιδευτικό Υλικό Ηλεκτρονικών ΙΙ, 2005 (Σχολή Τεχνικών Υπαξιωματικών Αεροπορίας (ΣΤΥΑ)).
14.	Σημειώσεις και Εκπαιδευτικό Υλικό Θεωρίας Ηλεκτρονικών Κυκλωμάτων, 2005 (Σχολή Τεχνικών Υπαξιωματικών Αεροπορίας (ΣΤΥΑ)).
15.	Σημειώσεις και Εκπαιδευτικό Υλικό σε Βασικές Αρχές Ηλεκτροτεχνίας, Ενισχυτές, Ψηφιακά Κυκλώματα και Θεωρία Ηλεκτρονικών Κυκλωμάτων, 2005 (128/ΣΕΤΗ, Διδασκαλία ΕΠΟΠ) .
16.	Σημειώσεις Ψηφιακών Ηλεκτρονικών, 2006 (Τμήμα Ηλεκτρονικής, ΤΕΙ Αθήνας).
18.	Σημειώσεις Προγραμματισμού Ι και Προγραμματισμού ΙΙ, 2007 (Τμήμα Ηλεκτρονικής, ΤΕΙ Αθήνας).
19.	Σημειώσεις Ηλεκτρονικών ΙΙΙ, 2008 (Τμήμα Ηλεκτρονικής, ΤΕΙ Αθήνας).
20.	Εισαγωγή στα Ψηφιακά Ηλεκτρονικά, 2014 (Τμήμα Ηλεκτρονικών Μηχανικών ΤΕΙ Αθήνας).
21.	Kυκλώματα Ηλεκτρονικών Ταλαντωτών και Φίλτρων. Σχεδίαση – Προσομοίωση με Διακριτά Στοιχεία 2014 (Τμήμα Ηλεκτρονικών Μηχανικών ΤΕΙ Αθήνας).
22.	Σχεδίαση με CMOS τεχνικές και VHDL περιγραφή βασικών ψηφιακών κυκλώμάτων, 2014 (Τμήμα Ηλεκτρονικών Μηχανικών ΤΕΙ Αθήνας) .
23	Αρχές Κβαντομηχανικής και Ηλεκτρονικών με Εφαρμογές στη Νανοηλεκτρονική, 2014 (Τμήμα Ηλεκτρονικών Μηχανικών ΤΕΙ Αθήνας).

Βιβλία υπό έκδοση (εκδοτικός οίκος www.bookstar.gr) :

1. Εισαγωγή στα Ψηφιακά Ηλεκτρονικά, 2014 (Τμήμα Ηλεκτρονικών Μηχανικών ΤΕΙ Αθήνας)

2. Kυκλώματα Ηλεκτρονικών Ταλαντωτών και Φίλτρων. Σχεδίαση – Προσομοίωση με Διακριτά Στοιχεία, 2014 (Τμήμα Ηλεκτρονικών Μηχανικών ΤΕΙ Αθήνας)

12. ΔΙΑΚΡΙΣΕΙΣ

· 1^ος στις εισαγωγικές εξετάσεις στο Μεταπτυχιακό Μικροηλεκτρονικής (μεταξύ 13 υποψηφίων). Μέσος όρος στα εξεταζόμενα μαθήματα: 8.3. ΕΚΕΦΕ Δημόκριτος 1995.

· Βραβείο καλύτερης αφίσας για την εργασία «Μελέτη μορφοκλασματικών χαρακτηριστικών νανοδομημένων επιφανειών», Β. Κωσταντούδης, Γ. Π. Πάτσης και Ε. Γογγολίδης , Πανελλήνιο Συνέδριο Πολυπλοκότητας και μη Γραμμικής Δυναμικής, Ολυμπία (2004)

· Βραβείο 3^ηςκαλύτερης εργασίας (μεταξύ 300 εργασιών) στο διεθνές συνέδριο “Micro-Nano-Engineering 2006”. Θέμα: “Stochastic simulation studies of molecular resists”. Βαρκελώνη, Ισπανία (2006).

· Βραβείο Καλύτερης Διπλωματικής Εργασίας στους Φοιτητές στη Σχολή Τεχνικών Υπαξιωματικών Αεροπορίας (ΣΤΥΑ). Θέμα: «Επεξεργασία σημάτων σε πραγματικό χρόνο με το LABVIEW. Κατασκευή ενός παλμογράφου». Καβούρι (2006).

13. ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΗ ΘΗΤΕΙΑ

· Την περίοδο 29/9/2000 – 29/9/2001 υπηρέτησε τη στρατιωτική του θητεία στο Πυροβολικό. Εκπαιδεύτηκε στην ειδικότητα του Τοπογράφου στην 139 Α/Κ ΜΜΠ στο Πετροχώρι Ξάνθης όπου και υπηρέτησε ως την 31/3/2002. Μεταξύ των λοιπών στρατιωτικών του υποχρεώσεων στην εν λόγω μονάδα, ήταν υπεύθυνος μηχανοργάνωσης της και ιδιαίτερα του 1ου Γραφείου.

· Στη συνέχεια και μέχρι το τέλος της θητείας του, με κατ’ εξαίρεση μετάθεση (ως γονέας ενός ανήλικου τέκνου) στο Τ/ΓΕΣ, αποσπάσθηκε στη ΔΙΣ (Διεύθυνση Ιστορίας Στρατού), όπου μεταξύ των στρατιωτικών του υποχρεώσεων ήταν υπεύθυνος δικτύου και υπεύθυνος μηχανοργάνωσης της βιβλιοθήκης.

· Στο διάστημα της παραμονής του στην εν λόγω μονάδα δημιούργησε μια βάση δεδομένων για τη μηχανοργάνωση της βιβλιοθήκης η οποία περιέλαβε άνω των 18000 καταχωρήσεων σε βιβλία και μελέτες περί της ιστορίας του Ελληνικού Έθνους και του Ελληνικού Στρατού.

14. ΔΙΟΙΚΗΤΙΚΟ ΕΡΓΟ

Διοικητικό έργο στη ΣΤΕΦ του ΤΕΙ Αθήνας και Γραμματειακή υποστήριξη στο τμήμα Ηλεκτρονικών μηχανικών του ΤΕΙ Αθήνας:

1. Πρόεδρος της επιτροπής : «Κατακύρωση πρόχειρου μειοδοτικού διαγωνισμού, ύψους #69.495,00#€ για την προμήθεια εργαστηριακού εξοπλισμού των Τμημάτων της ΣΤΕΦ του Τ.Ε.Ι. Αθήνας».

2. Πρόεδρος της επιτροπής: «Διενέργειας του Πρόχειρου Διαγωνισμού με σφραγισμένες προσφορές για το υποέργο 46 με τίτλο «Πολυκατευθυντική μελέτη προσεισμικών διαταραχών με έμφαση στις Η/Μ ακτινοβολίες», στο πλαίσιο της πράξης «Αρχιμήδης ΙΙΙ – Ενίσχυση ερευνητικών ομάδων στο ΤΕΙ Αθήνας» (κωδικός MIS 379389), συνολικού ποσού € 13800,00 συμπεριλαμβανομένου του ΦΠΑ».

3. Στην επιτροπή εκλογής του κ. Κανδρή σε θέση Επ. Καθηγητή.

4. Υπεύθυνος εισαγωγής αιτημάτων (υπηρεσιακών) καθώς και παραστατικών παραλλαβής και αποθήκευσης, στο ηλεκτρονικό σύστημα υπηρεσιακών σημειωμάτων του τμήματος Ηλεκτρονικών Μηχανικών του ΤΕΙ Αθήνας.

15. ΔΗΜΟΣΙΕΥΣΕΙΣ : Σε επίσημα περιοδικά αναγνωρισμένου κύρους με κριτές

1996

1. Application of a reaction-diffusion model for negative chemically amplified resists to determine electron-beam proximity correction parameters , N. Glezos, G. P. Patsis, I. Raptis, P. Argitis, M. Gentili, and L. Grella, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 4252 (1996).

1997

2. Theoretical discussion of diffusion effects in negative chemically amplified resists based on contrast curve simulation , G. P. Patsis, G. Meneghini, N. Glezos, and P. Argitis, J. Vac. Sci. Technol. B 15, 2561 (1997).

3. Gel formation theory approach for the modeling of negative chemically amplified e-beam resists, G. P. Patsis, I. Raptis, N. Glezos, P. Argitis, M. Hatzakis, C. J. Aidinis, M. Gentili and R. Maggiora, Microelectronic Engineering, 35(1-4), 157 (1997).

1998

4. Electron-beam lithography on multilayer substrates: experimental and theoretical study, I. Raptis, G.Meneghini, A. Rosenbusch, N. Glezos, R. Palumbo, M. Ardito, L. Scopa, G. P. Patsis, E. Valamontes, and P.Argitis, Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng. 3331, 431 (1998).

5. E-beam proximity correction for negative tone chemically amplified resists taking into account post-bake effects, N. Glezos, G. P. Patsis, A. Rosenbusch and Z. Cui, Microelectronic Engineering, 41-42, 319 (1998).

6. Calculation of energy deposition in thin resist films over multilayer substrates , I. Raptis, N. Glezos, A. Rosenbusch, G. P. Patsis and P. Argitis, Microelectronic Engineering, 41-42, 171 (1998).

1999

7. Simulation of chemically amplified resist processes for 150 nm e-beam lithography , A. Rosenbusch, Z. Cui, E. DiFabrizio, M. Gentili, N. Glezos, G. Meneghini, B. Nowotny, G. P. Patsis, P. Prewett and I. Raptis, Microelectronic Engineering, 46(1-4), 379 (1999).

8. Molecular dynamics simulation of gel formation and acid diffusion in negative tone chemically amplified resists, G. P. Patsis and N. Glezos, Microelectronic Engineering, 46(1-4), 359 (1999).

9. Simulation of roughness in chemically amplified resists using percolation theory , G. P. Patsis, N. Glezos, I. Raptis, and E. S. Valamontes, J. Vac. Sci. Technol. B 17, 3367 (1999).

2000

10. Epoxidized novolac resist (EPR) for high-resolution negative- and positive-tone electron beam lithography, E. Tegou, E. Gogolides, P. Argitis, I. Raptis, G. P. Patsis, N. Glezos, Z. C.H. Tan, K. Lee, P. Le, Y. Hsu and M. Hatzakis, Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng. 3999, 1181 (2000).

11. Surface and line-edge roughness in solution and plasma developed negative tone resists: Experiment and simulation, G. P. Patsis, A. Tserepi, I. Raptis, N. Glezos, E. Gogolides, and E. S. Valamontes, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 3292 (2000).

2001

12. Simulation of surface and line-edge roughness formation in resists, G. P. Patsis and E. Gogolides, Microelectronic Engineering, 57-58, 563 (2001).

13. Characterization and simulation of surface and line-edge roughness in photoresists , V. Constantoudis, E. Gogolides, G. P. Patsis, A. Tserepi, and E. S. Valamontes, J. Vac. Sci. Technol. B 19, 2694 (2001).

2002

14. Probabilistic gel formation theory in negative tone chemically amplified resists used in optical and electron beam lithography , G. P. Patsis and N. Glezos, J. Vac. Sci. Technol. B 20, 1303 (2002).

2003

15. Etching behavior of Si-containing polymers as resist materials for bilayer lithography: The case of poly-dimethyl siloxane, A. Tserepi, G. Cordogiannis, G. P. Patsis et al., J. Vac. Sci. Technol. B 21, 174 (2003).

16. Monte Carlo simulation of gel formation and surface and line-edge roughness in negative tone chemically amplified resists , G. P. Patsis, N. Glezos, and E. Gogolides, J. Vac. Sci. Technol. B 21, 254 (2003).

17. Roughness analysis of lithographically produced nanostructures: off-line measurement and scaling analysis, G. P. Patsis, V. Constantoudis, A. Tserepi, E. Gogolides, G. Grozev and T. Hoffmann, Microelectronic Engineering, 67-68, 319 (2003).

18. Quantification of line-edge roughness of photoresists. I. A comparison between off-line and on-line analysis of top-down scanning electron microscopy images , G. P. Patsis, V. Constantoudis, A. Tserepi, E. Gogolides, and G. Grozev, J. Vac. Sci. Technol. B 21, 1008 (2003).

19. Quantification of line-edge roughness of photoresists. II. Scaling and fractal analysis and the best roughness descriptors, V. Constantoudis, G. P. Patsis, A. Tserepi, and E. Gogolides, J. Vac. Sci. Technol. B 21, 1019 (2003).

2004

20. Line Edge Roughness (LER) Investigation on Chemically Amplified Resist (CAR) Materials with Masked Helium Ion Beam Lithography , S. Eder-Kapl, H. Loeschner, M. Zeininger, O. Kirch, G. P. Patsis, V. Constantoudis, and E. Gogolides, Microelectronic Engineering, 73-74, 252 (2004).

21. Photoresist line-edge roughness analysis using scaling concepts, V. Constantoudis, G. P. Patsis, and E. Gogolides, J. Microlithogr. Microfabrication, Microsyst. 3, 429 (2004).

22. Effects of different processing conditions on line-edge roughness for 193-nm and 157-nm resists, M. Ercken, L. H. A. Leunissen, I. Pollentier, G. P. Patsis, V. Constantoudis, and E. Gogolides, Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng. 5375, 266 (2004).

23. Effects of photoresist polymer molecular weight on line-edge roughness and its metrology probed with Monte Carlo simulations, G. P. Patsis, V. Constantoudis, and E. Gogolides, Microelectronic Engineering 75(3), 297 (2004).

24. Line edge roughness and critical dimension variation: Fractal characterization and comparison using model functions, V. Constantoudis, G. P. Patsis, L. H. A. Leunissen, and E. Gogolides,

· J. Vac. Sci. Technol. B(22), 1974 (2004), και

· Virtual Journal of Nanoscale Science & Technology- August 1, 2004, Volume 10, Issue 9.

2005

25. Monte Carlo Study of Surface and Line-Width Roughness of Resist Film Surfaces during Dissolution, G. P. Patsis, Mathematics and Computers in Simulation 68(2),145 (2005).

26. Determining the impact of statistical fluctuations on resist line-edge roughness, L.H.A. Leunissen, M. Ercken, G. P. Patsis, Microelectronic Engineering 78–79 2 (2005).

27. Electron-beam simulation for EUVL mask applications, G. P. Patsis, and N. Glezos, J. Phys. Conf. Series 10, 385–388 (2005).

28. Effects of model polymer chain architecture of photoresists on film surface and line edge roughness. Monte Carlo Simulations, G. P. Patsis, and E. Gogolides, J. Phys. Conf. Series 10, 389–392 (2005).

29. Fractal Roughness of Polymers During Lithographic Processing, V. Constantoudis, E. Gogolides, G. P. Patsis, Jpn. J. Appl. Phys. Lett. 44 (5A) L186 (2005).

30. Stochastic Simulation of Thin Photoresist Film Dissolution: A Dynamic and a Quasi-Static Dissolution Algorithm for the Simulation of Surface and Line-Edge Roughness Formation, G. P. Patsis, Polymer 46, 2404 (2005).

31. Material and Process Effects on Line-Edge-Roughness. Simulations using a Fast 3D Stochastic Lithography Simulator, G. P. Patsis and E. Gogolides,

· J. Vac. Sci. Technol. B(23), 1371 (2005).

· Virtual Journal of Nanoscale Science & Technology- August 1, 2005, Volume 12, Issue 5.

32. Effects of Photoresist Polymer Molecular Weight and Acid-Diffusion on Line-Edge Roughness, G. P. Patsis, E. Gogolides, K. Van Werden, Jpn. J. Appl. Phys. 44(8), 6341 (2005).

33. A Stochastic Photoresist-Polymer Dissolution Model Combining the Percolation and Critical Ionization Models, V. Sarris, G. P. Patsis, and E. Gogolides, Jpn. J. Appl. Phys. 44(10) 2005, 7400 (2005).

2006

34. A review of line edge roughness and surface nanotexture resulting from patterning processes , E. Gogolides, V. Constantoudis, G. P. Patsis, A. Tserepi, Microelectronic Engineering 83, 1067 (2006).

35. Electron beam lithography simulation for the fabrication of EUV masks, G. P. Patsis, N. Tsikrikas I. Raptis, N. Glezos, Microelectronic Engineering 83, 1148 (2006).

36. Effects of model polymer chain architectures and molecular weight of photoresists on line-edge roughness. Monte Carlo Simulations, G. P. Patsis, and E. Gogolides, Microelectronic Engineering 83, 1078 (2006).

37. Integrated simulation of line-edge roughness (LER) effects on sub-65 nm transistor operation: From lithography simulation, to LER metrology, to device operation, G. P. Patsis, V. Constantoudis, and E. Gogolides, Proc. SPIE 6151, 61513J (2006).

38. Line-width roughness analysis of EUV resists after development in homogenous CO2 solutions using CO2 compatible salts (CCS) by using a three-parameter model, V. Constantoudis, E. Gogolides, G. P. Patsis; M. I. Wagner, J. P. DeYoung, Proc. SPIE 6153, 61533W (2006).

39. Effects of Lithography Nonuniformity on Device Electrical Behavior. Simple Stochastic Modeling of Material and Process Effect on Device Performance, G. P. Patsis, V. Constantoudis, and E. Gogolides, J. Computational Electronics 5, 341 (2006).

2007

40. Simulation of Materials and Processing Effects on Photoresist Line-Edge Roughness, G. P. Patsis, Μ. D. Nijkerk, L. H. Leunissen, and E. Gogolides, International Journal of Computational Science and Enginnering (Special Issue on Computational Methods and Techniques for Nanoscale Technology Computer Aided Design) Vol. 2, 3-4, 134-143 (2007).

41. Stochastic simulation studies of molecular resists, D. Drygiannakis, G. P. Patsis, I. Raptis, D. Niakoula, V. Vidali , E. Couladouros, P. Argitis , E. Gogolides, Microelectronic Engineering 84, 5-8, 1062-1065 (2007).

42. Stochastic simulation of material and process effects on the patterning of complex layouts, N. Tsikrikas, D. Drygiannakis, G. P. Patsis, I. Raptis, S. Stavroulakis, E. Voyiatzis, Jap. J. Appl. Phys. 46 (9 B), 6191 (2007).

43. Correlation length and the problem of Line Width Roughness, V. Constantoudis, G. P. Patsis and E. Gogolides, Proc. Proc. SPIE 6518, 65181N (2007).

44. Stochastic simulation of material and process effects on the patterning of complex layouts, D. Drygiannakis, N. Tsikrikas, G. P. Patsis, G. Kokkoris, I. Raptis, E. Gogolides, Proc. SPIE 6518, 651836 (2007).

45. Simulation of the combined effects of polymer size, acid diffusion length and EUV secondary electron blur on resist line-edge roughness, D. Drygianakis, M. D. Nijkerk, G. P. Patsis, G. Kokkoris, I. Raptis, L. H. A. Leunissen, and E. Gogolides, Proc. SPIE 6519, 65193T (2007).

46. Pattern matching, simulation and metrology of complex layouts fabricated by electron beam lithography, N. Tsikrikas, D. Drygiannakis, G. P. Patsis, I. Raptis, J. Vac. Sci. Technol. B 25(6), 2307 (2007).

2008

47. Electron-Beam-Patterning Simulation and Metrology of Complex Layouts on Si/Mo Multilayer Substrates, G. P. Patsis, D. Drygiannakis, N. Tsikrikas, I. Raptis, and E. Gogolides, Proc. SPIE 6922, 69222K (2008).

48. High resolution patterning and simulation on Mo/Si multilayer for EUV masks, N. Tsikrikas, G. P. Patsis, I. Raptis, and A. Gerardino, Proc. SPIE 6792, 679216 (2008).

49. Stochastic simulation studies of molecular resists for the 32nm technology node, D. Drygiannakis, G. P. Patsis, I. Raptis, Microelec. Eng. 85, 949 (2008).

50. Processing effects on the dissolution properties of thin chemically amplified photoresist films. D. Drygiannakis, G. P. Patsis, I. Raptis, Microelec. Eng. 85, 955 (2008).

51. Modeling MOSFET Gate Length Variability for Future Technology Nodes, G. P. Patsis, Phys. Stat. Sol. 9a) 205 (11) 2541 (2008).

52. Electron beam lithography simulation for the patterning of EUV masks, N. Tsikrikas, G. P. Patsis, I. Raptis, A. Gerardino, E. Quesnel, Jap. J. Appl. Phys. 47, 4909 (2008).

2009

53. Advanced lithography models for strict process control of transistor fabrication in the 32nm technology node, G. P. Patsis, D. Drygiannakis, I. Raptis, E. Gogolides, A. Erdmann, Microelec. Engin. 86 513–516 (2009).

54. Modeling of line edge roughness transfer during plasma etching of transistor gates, V. Constantoudis, G. Kokkoris, G. P. Patsis, E. Gogolides, Microelec.Engin. 86, 968–970 (2009).

2010

55. Detailed Resist Film Modelling in Stochastic Lithgoraphy Simulation for Line-Edge Roughness Quantification, D. Drygiannakis, I. Raptis, E. Gogolides , and G. P. Patsis, Microelec. Engin. 87, Issues 5-8, 989-992 (2010).

56. Simulation of shot noise effect on CD and LER of electron-beam lithography in 32 nm designs, N. Tsikrikas, G. P. Patsis, D. Drygiannakis, and I. Raptis, Microelec. Engin., Issues 5-8, 1575-1578 (2010).

57. Line width roughness effects on device performance: the role of the gate width design, V. Constantoudis, G.P. Patsis, E. Gogolides, Proc. SPIE 7641, 764116 (2010).

58. Evolution of resist roughness during development: stochastic simulation and dynamic scaling analysis, V. Constantoudis, , G.P. Patsis, E. Gogolides, Proc. SPIE 7639, 76392H (2010).

59. Modeling of double patterning interactions in litho-freezing-litho-etch (LFLE) processes, Andreas Erdmann, S. Feng, J. Fuhrmann, A. Fiebach, G.P. Patsis, and P. Trefonas, Proc. SPIE 7640, 76400B (2010).

60. Macroscopic and Stochastic Modeling Approaches to Pattern Doubling by Acid Catalyzed Cross-Linking, V J. Fuhrmann, A. Fiebach, G. Patsis, Proc. SPIE 7639, 76392I (2010).

61. Stochastic modeling and simulation of photoresist surface and line-edge roughness evolution, D Drygiannakis, G P Patsis, V Constantoudis, I Raptis, A Boudouvis and E Gogolides, European Polymer Journal, 46(10), 1988 (2010).

62. Simulation, evaluation and optimization of a thermal microfluidic flow sensor, G. Patsis, A. Petropoulos, G. Kaltsas, Procedia Engineering, Volume 5, 2010, Pages 1328-1331.

2011

63. Evolution of Resist Roughness during Development: Stochastic Simulation and Dynamic Scaling Analysis, V. Constantoudis, G. P. Patsis, and E. Gogolides, J. Micro/Nanolith. MEMS MOEMS 9, 41207 (2011).

64. Performance simulation, realization and evaluation of capacitive sensor arrays for the real time detection of volatile organic compounds, P. Oikonomou, G.P. Patsis, A. Botsialas, K. Manoli, D. Goustouridis, N.A. Pantazis, A. Kavadias, E. Valamontes, Th. Ganetsos, M. Sanopoulou, I. Raptis, Microelec. Engin. 88(8), 2395 (2011)

65. Chemocapacitance response simulation through polymer swelling and capacitor modeling, P. Oikonomou, A. Salapatas, K. Manoli, K. Misiakos, D. Goustouridis, E. Valamontes, M. Sanopoulou, I. Raptis, G. P. Patsis , Procedia Engineering, Volume 25, 2011, Pages 423-426.

66. Hybrid integration of microfabricated chemcapacitor arrays with miniaturized read-out electronics towards low-power gas sensing module, P. Oikonomou, G. P. Patsis, K. Manoli, D. Goustouridis, E. Valamontes, N. Pantazis, M. Sanopoulou, I. Raptis, Procedia Engineering, Volume 25, 2011, Pages 1117-1120.

67. Simulation and Experimental Evaluation of Gas Mass Flow Transfer Rate in Microchannels, G. P. Patsis, K. Ninos, D. Mathioulakis, and G. Kaltsas, Procedia Engineering, Volume 25, 2011, Pages 447-450.

2012

68. Fractals and device performance variability: The key role of roughness in micro and nanofabrication Pages 121-125 V. Constantoudis, G.P. Patsis, E. Gogolides Microelec. Engin. Volume 90, Pages 1-172 (February 2012)

69. Chemocapacitor performance modeling by means of polymer swelling optical measurements, P. Oikonomou, A. Botsialas, K. Manoli, D. Goustouridis, E. Valamontes, M. Sanopoulou, I. Raptis, G.P. Patsis, Sensors and Actuators B: Chemical, Volumes 171–172, August–September 2012, Pages 409-415.

70. Modelling and evaluation of a thermal microfluidic sensor fabricated on plastic substrate, G. P. Patsis, A. Petropoulos, G. Kaltsas in Microsystem Technologies 18(3) 359 (2012).

2013

71. Room temperature analysis of Ge p+/n diodes reverse characteristics fabricated by platinum assisted dopant activation, Vassilios Ioannou-Sougleridis, Nikolaos Poulakis, Panagiotis Dimitrakis, Pascal Normand, George P. Patsis, Athanasios Dimoulas, Eddy SimoenSolid-State Electronics, Volume 81, March 2013, Pages 19-26 (2013).

72. Gas-mass-flow transfer-rate simulation and experimental evaluation in microchannels, G. P. Patsis, K. Ninos, D. Mathioulakis, and G. Kaltsas, Microsystem Technologies: Volume 19, Issue 12 Page 1919-1925 (2013).

16. ΔΗΜΟΣΙΕΥΣΕΙΣ : Σε πρακτικά συνεδρίων με κριτές

1996

1. Reaction-diffusion modeling of acid diffusion in e-beam resists , G. P. Patsis, and N. Glezos , 6th Εuropean Polymer Federation Symposium on Polymeric Materials, Greece (1996) (ΟΜΙΛΙΑ).

2. Application of a reaction-diffusion model for negative chemically amplified resists to determine electron-beam, proximity correction parameters, N. Glezos, G. P. Patsis, I. Raptis, P. Argitis, M. Gentili, and L. Grella, Electron Ion and Photon Beams (EIPBN), USA (1996) (ΑΦΙΣΑ).

3. Gel formation theory approach for the modelling of negative chemically amplified e-beam resists, G. P. Patsis, I. Raptis, N. Glezos, P. Argitis, M. Hatzakis, C. J. Aidinis, M. Gentili and R. Maggiora, Μicro and Νanoengineering (MNE),. England (1996) (ΑΦΙΣΑ).

1997

4. Probabilistic Modelling of Gel Formation in Negative Tone Chemically Amplified Resists, G. P. Patsis, and N. Glezos , 4th International Symposium on Polymers for Advanced Technologies, Germany (1997) (AΦΙΣΑ).

5. Theoretical discussion of diffusion effects in negative chemically amplified resists based on contrast curve simulation , G. P. Patsis, and N. Glezos , Electron Ion and Photon Beams and Nanofabrication (EIPBN), USA (1997) (ΟΜΙΛΙΑ).

6. Calculation of energy deposition in thin resist films over multilayer substrates ,I. Raptis, N. Glezos, A. Rosenbusch, G. P. Patsis and P. Argitis, Μicro and Νanoengineering (MNE), Greece (1997) (ΟΜΙΛΙΑ).

7. E-beam proximity correction for negative tone chemically amplified resists taking into account post-bake effects ,N. Glezos, G. P. Patsis, A. Rosenbusch and Z. Cui,Μicro and Νanoengineering (MNE), Greece (1997) (ΟΜΙΛΙΑ).

1998

8. Molecular dynamics simulation of gel formation and acid diffusion in negative tone chemically amplified resists , G. P. Patsis and N. Glezos, Μicro and Νanoengineering (MNE), Belgium(1998) (OMΙΛΙΑ).

9. Simulation of chemically amplified resist processes for 150 nm e-beam lithography ,A. Rosenbusch, Z. Cui, E. DiFabrizio, M. Gentili, N. Glezos, G. Meneghini, B. Nowotny, G. P. Patsis, P. Prewett and I. Raptis, Μicro and Νanoengineering (MNE), Belgium(1998) (ΑΦΙΣΑ).

10. Electron-beam lithography on multilayer substrates: experimental and theoretical study, I. Raptis, G.Meneghini, A. Rosenbusch, N. Glezos, R. Palumbo, M. Ardito, L. Scopa, G. P. Patsis, E. Valamontes, and P.Argitis, Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng. 3331, 431 (1998). (ΑΦΙΣΑ).

1999

11. Simulation of roughness in chemically amplified resists using percolation theory , G. P. Patsis, N. Glezos, I. Raptis, and E. S. Valamontes., Electron Ion and Photon Beams and Nanofabrication (EIPBN), USA (1999) (ΑΦΙΣΑ).

2000

12. Epoxidized novolac resist (EPR) for high-resolution negative- and positive-tone electron beam lithography, E. Tegou, E. Gogolides, P. Argitis, I. Raptis, G. P. Patsis, N. Glezos, Z. C.H. Tan, K. Lee, P. Le, Y. Hsu and M. Hatzakis, Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng. 3999, 1181 (2000). (ΟΜΙΛΙΑ).

13. Surface and line-edge roughness in solution and plasma developed negative tone resists: Experiment and simulation, G. P. Patsis, A. Tserepi, I. Raptis, N. Glezos, E. Gogolides, and E. S. Valamontes, Electron Ion and Photon Beams and Nanofabrication (EIPBN), USA (2000) (ΑΦΙΣΑ).

14. Simulation of surface and line-edge roughness formation in resists, G. P. Patsis and E. Gogolides, Μicro and Νanoengineering (MNE), France (2000) (ΑΦΙΣΑ).

15. Simulation of the formation and characterization of roughness in photoresists, G. P. Patsis, V. Constantoudis and E. Gogolides, Microelectronics, Microsystems and Nanotechnology (MMN), 123, Greece (2000) , Published in special volume by World Scientific (ΑΦΙΣΑ).

2001

16. Characterization and simulation of surface and line-edge roughness in photoresists, V. Constantoudis, E. Gogolides, G. P. Patsis, A. Tserepi, and E. S. Valamontes, Electron Ion and Photon Beams and Nanofabrication (EIPBN), USA (2001) (ΑΦΙΣΑ).

17. Materials and processes for 157nm lithography: Resist chemistry, outgasing, first imaging, and LER studies, E Gogolides, P. Argitis, A. Tserepi, E. Tegou, C. Diakou- makos, V.Constantoudis, G. P. Patsis, C. Cefalas and E. Sarantopoulou, Symposium on 157nm Lithography, Belgium (2001) (ΑΦΙΣΑ).

2002

18. Line-Edge Roughness Calculation of Photoresists Using Off-Line Analysis of Top-Down SEM Images, G. P. Patsis, V. Constantoudis, A. Tserepi, E. Gogolides,G. Grozev, and T. Hoffmann, Symposium on 157nm Lithography, Belgium (2002) (ΑΦΙΣΑ).

19. Analysis of top-down SEM images of Resists for Line-Edge Roughness (LER) Calculations : What are the best descriptors of LER Based on Scaling and Fractal Analysis? V. Constantoudis, G. P. Patsis, A. Tserepi, E. Gogolides, G. Grozev, and T. Hoffmann, Symposium on 157nm Lithography, Belgium ( 2002) (ΑΦΙΣΑ).

20. Roughness analysis of lithographically produced nanostructures: off line measurement, scaling analysis and Monte Carlo simulations, G. P. Patsis, V. Constantoudis , A. Tserepi , and E. Gogolides, Μicro and Νanoengineering (MNE), Switchzerland (2002) (ΑΦΙΣΑ).

2003

21. Photoresist line-edge roughness analysis using scaling concepts, V. Constantoudis, G. P. Patsis, and E.s Gogolides, Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng. 5038, 901 (2003) (ΑΦΙΣΑ).

22. Line Edge Roughness (LER) Investigation on Chemically Amplified Resist (CAR) Materials with Masked Helium Ion Beam Lithography , S. Eder-Kapl, H. Loeschner, M. Zeininger, O. Kirch, G. P. Patsis, V. Constantoudis, and E. Gogolides Μicro and Νanoengineering (MNE), England (2003) (ΑΦΙΣΑ).

23. Application of Critical Ionization Model in Photopolymer Dissolution for the Simulation of Line Edge Roughness Formation, G. P. Patsis, V. Sarris, and E. Gogolides, Symposium on 157nm Lithography, Belgium (2003) (ΑΦΙΣΑ).

24. Characterization of the Spatial Aspects of Line Edge Roughness, V. Constantoudis, G. P. Patsis and E. Gogolides, Symposium on 157nm Lithography, Belgium ( 2003) (ΑΦΙΣΑ).

25. A software for quantification of line-edge roughness of photoresists from top-down SEM images based on scaling and fractal concepts , G. P. Patsis, V. Constantoudis, and E. Gogolides, Symposium of CREMSI organized by STUniversity, France (2003) (ΟΜΙΛΙΑ).

26. Etching Behavior of Si-containing Polymers as Resist Materials for Bilayer Lithography, A. Tserepi, G. Cordoyiannis, G. P. Patsis, V. Constantoudis, E. Gogolides, I. Raptis and E. S. Valamontes, 4rth international symposium on polymer surface modifications, USA (2003) (ΟΜΙΛΙΑ).

2004

27. Material origins of line-edge roughness: Monte Carlo simulations and scaling analysis, G. P. Patsis, V. Constantoudis, and E. Gogolides, Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng. 5376, 773 (2004) (ΑΦΙΣΑ).

28. Toward a complete description of linewidth roughness: a comparison of different methods for vertical and spatial LER and LWR analysis and CD variation, V. Constantoudis, G. P. Patsis, L. H. A. Leunissen, and E. Gogolides, Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng. 5375, 967 (2004) (ΑΦΙΣΑ).

29. Effects of different processing conditions on line-edge roughness for 193-nm and 157-nm resists, M. Ercken, L. H. A. Leunissen, I. Pollentier, G. P. Patsis, V. Constantoudis, and E. Gogolides, Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng. 5375, 266 (2004) (ΟΜΙΛΙΑ).

30. Determining the impact of statistical fluctuations on resist line-edge roughness, L.H.A. Leunissen, M. Ercken, G. P. Patsis, Μicro and Νanoengineering (MNE), Roterdam (2004) (ΠΡΟΣΚΕKΛΗΜΕΜΗ ΟΜΙΛΙΑ).

31. Line Width Roughness (LWR) metrology, characterization, and simulation: Developing the software tools for understanding, describing, and predicting LER, E. Gogolides, V. Constantoudis, G. P. Patsis, EUVL Workshop 2004, Rotterdam, 23/9/04 (ΟΜΙΛΙΑ).

32. Calculations of electron-beam energy deposition in resist films over multiplayer Si/Mo substrates, G. P. Patsis, N. Glezos, Microfabrication, Microsystems and Nanotechnology (MNN), Athens, 2004. (ΟΜΙΛΙΑ).

33. Effects of polymer chain architecture on film surface and line edge roughness. Monte Carlo Simulations, G. P. Patsis, and E. Gogolides, Microfabrication, Microsystems and Nanotechnology (MNN), Athens, 2004. (ΑΦΙΣΑ).

2005

34. Fractal structures in nanoelectronics, V. Constantoudis , G. P. Patsis, A. Tserepi, K. Tsougeni, G. Boulousis, E. Valamontes, E. Goggolides, XXV Dynamics Days Europe in Berlin, July 25-28, 2005, (ΑΦΙΣΑ).

35. Combined metrology and simulation of imprinted photopolymer lines/spaces. Extraction of line-edge roughness descriptors, G. P. Patsis, N. Tsikrikas, V. Constantoudis, and E. Gogolides, 3^rd International Symposium on Nanomanufacturing (ISNM05), Cyprus, November (2005). (ΟΜΙΛΙΑ)

36. Effects of model polymer chain architectures on the self-affine characteristics of dissolving photopolymer films. Stochastic simulations, G. P. Patsis, N. Tsikrikas, and E. Gogolides, 3^rd International Symposium on Nanomanufacturing (ISNM05), Cyprus, November (2005). (ΑΦΙΣΑ).

37. Line Edge nano-roughness and surface nano-texture resulting from patterning processes: A blessing or a curse?, E. Gogolides, V. Constantoudis, G. P. Patsis, A. Tserepi, Μicro and Νanoengineering (MNE), Vienna, Austria (2005) (ΠΡΟΣΚΕKΛΗΜΕΜΗ ΟΜΙΛΙΑ).

38. Electron beam lithography simulation for the fabrication of EUV masks, G. P. Patsis, N. Tsikrikas I. Raptis, N. Glezos, Μicro and Νanoengineering (MNE), Vienna, Austria (2005) (ΑΦΙΣΑ).

39. Effects of model polymer chain architectures and molecular weight of photoresists on line-edge roughness. Monte Carlo Simulations, G. P. Patsis, and E. Gogolides, Μicro and Νanoengineering (MNE), Vienna, Austria (2005) (ΑΦΙΣΑ).

40. Investigation of statistical fluctuations on line edge roughness, L.H.A. Leunissen, G.P. Patsis, D. Van Steenwinckel, J. H. Lammers, Charged Particle Lithographies Workshop, Vienna, Austria (2005) (ΑΦΙΣΑ).

2006

41. Integrated simulation of line-edge roughness (LER) effects on sub-65 nm transistor operation: From lithography simulation, to LER metrology, to device operation, G. P. Patsis, V. Constantoudis, and E. Gogolides, Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng., USA (2006) (ΑΦΙΣΑ).

42. Line-width roughness analysis of EUV resists after development in homogenous CO2 solutions using CO2 compatible salts (CCS) by using a three-parameter model, V. Constantoudis, E. Gogolides, G. P. Patsis; M. I. Wagner, J. P. DeYoung, , Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng., USA (2006) (ΑΦΙΣΑ).

43. Electron Beam lithography simulation on EUV mask blank, N. Tsikrikas, G. P. Patsis, I. Raptis, N. Glezos, 8^th International Conference on Electron Beam Technologies (EBT), Bulgaria (2006) (ΑΦΙΣΑ).

44. Effects of Lithography Nonuniformity on Device Electrical Behavior. Simple Stochastic Modeling of Material and Process Effect on Device Performance, G. P. Patsis, V. Constantoudis, and E. Gogolides, 11^th International Conference on Computational Electronics, Vienna, Austria (2006) (ΑΦΙΣΑ).

45. Stochastic simulation studies of molecular resists, D. Drygiannakis, G. P. Patsis, I. Raptis, D. Niakoula, V. Vidali , E. Couladouros, P. Argitis E. Gogolides, Μicro and Νanoengineering (MNE), Barcelona, Spain (2006) (ΑΦΙΣΑ).

46. Dissolution studies of polycarbocycle-based aqueous base developable molecular resists, D. Niakoula, D. Drygiannakis, I. Raptis, G. P. Patsis, P. Argitis, E. Gogolides, V. P. Vidali, D.R. Gautam, E. A. Couladouros,c, W. Yueh, J. Roberts, R. Meagley, Micro-Nano Conference (MNC), Tokyo, Japan (2006) (ΟΜΙΛΙΑ).

47. Stochastic simulation of material and process effects on the patterning of complex layouts, N. Tsikrikas, D. Drygiannakis, G. P. Patsis, I. Raptis, S. Stavroulakis, E. Voyiatzis, Micro-Nano Conference (MNC), Tokyo, Japan (2006) (ΑΦΙΣΑ).

48. Correlation length and the problem of Line Width Roughness, V. Constantoudis, G. P. Patsis and E. Gogolides, Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng. (2006) (ΑΦΙΣΑ).

2007

49. Stochastic simulation of material and process effects on the patterning of complex layouts with e-beam lithography, D. Drygiannakis, N. Tsikrikas, G. P. Patsis, G. Kokkoris, I. Raptis, E. Gogolides, Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng. (2007) (ΑΦΙΣΑ).

50. Simulation of the combined effects of polymer size, acid diffusion length and EUV secondary electron blur on resist line-edge roughness, D. Drygianakis, M. D. Nijkerk, G. P. Patsis, G. Kokkoris, I. Raptis, L. H. A. Leunissen, and E. Gogolides, Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng. (2007) (ΟΜΙΛΙΑ).

51. Pattern matching, simulation and metrology of complex layouts fabricated by electron beam lithography, N. Tsikrikas, D. Drygiannakis, G. P. Patsis, I. Raptis, A. Gereldino, S. Stavroulakis, E. Voyiatzis, Electron Ion and Photon Beams and Nanofabrication (EIPBN), USA (2007) (ΑΦΙΣΑ).

52. Stochastic simulation studies of molecular resists for the 32nm technology node, D. Drygiannakis, G. P. Patsis, I. Raptis, Microelectronic Engineering (MNE), Copenhagen (2007) (ΑΦΙΣΑ).

53. Processing effects on the dissolution properties of thin chemically amplified photoresist films. D. Drygiannakis, G. P. Patsis, I. Raptis, Microelectronic Engineering (MNE), Copenhagen (2007) (ΑΦΙΣΑ).

54. Polymeric and molecular glass resist models for stochastic lithography simulation, G. P. Patsis , D.Drygiannakis, , I.Raptis, and E.Gogolides, September 28 – 30, 2007 Lithography Simulation Workshop in Hersbruck, Germany (ΠΡΟΣΚΕΚΛΗΜΕΝΗ ΟΜΙΛΙΑ).

55. Electron Beam Lithography Simulation for The Patterning of EUV Masks, N. Tsikrikas, G. P. Patsis, E. Valamontes, I. Raptis, and A. Gerardino, Micro-Nano Conference (MNC), Kyoto Japan (2007) (ΑΦΙΣΑ).

56. Electron Beam Lithography Simulation Algorithm over Multilayer Substrates, N. Tsikrikas, G. P. Patsis, I Raptis, ΜΜΝ Athens, Greece (2007) (ΑΦΙΣΑ).

57. Photoresist models for stochastic lithography, D. Drygiannakis, G. P. Patsis, I. Raptis, ΜΜΝ Athens, Greece (2007) (ΑΦΙΣΑ).

58. Modeling MOSFET Gate Length Variability for Future Technology Nodes, G. P. Patsis, ΜΜΝ Athens, Greece (2007) (ΑΦΙΣΑ).

2008

59. High Resolution Patterning and Simulation on Mo/Si Multilayer for EUV Masks, N. Tsikrikas, G. P. Patsis, I. Raptis, A. Gerardino, EMLC Dresden (2008). (ΑΦΙΣΑ).

60. Electron-Beam-Patterning Simulation and Metrology of Complex Layouts on Si/Mo Multilayer Substrates, G. P. Patsis, D. Drygiannakis, N. Tsikrikas, I. Raptis, and E. Gogolides, Proc. SPIE 6922, 69222K (2008). (ΑΦΙΣΑ).

61. Dissolution optimization of highly etch resistant, anthracene-based molecular resists, D. Niakoula, D. Drygiannakis, G.P. Patsis, E. Gogolides, I. Raptis, P. Argitis, V.P. Vidali, D.R. Gautam, E.A. Couladouros, (EIPBN), USA (2008) (ΑΦΙΣΑ).

62. Advanced lithography models for strict process control in the 32nm technology node, G. P. Patsis, D. Drygiannakis, I. Raptis, E. Gogolides, A. Erdmann, MNE-2008, ATHENS, GREECE (2008) (ΟΜΙΛΙΑ).

63. Modeling of line edge roughness transfer during plasma etching, V. Constantoudis, G. Kokkoris, G. P. Patsis, E. Gogolides, MNE-2008, ATHENS, GREECE (2008) (ΑΦΙΣΑ).

64. Simulation of E-Beam Edge Acuity Effect on the Resolution and LER of Chemically Amplified Resists, N. Tsikrikas, D. Drygiannakis, E. Valamontes, I. Raptis, and G.P. Patsis, Micro-Nano Conference (MNC), Fukuoda Japan (2008) (ΟΜΙΛΙΑ).

65. Fractals in nanoelectronics: the effects of the fractal dimension of gate sidewalls on transistor electrical performance, V. Constantoudis, G.Patsis and E. Gogolides, Complexity and Nonlinear dynamics, Αθήνα NTUA (2008). (ΟΜΙΛΙΑ).

66. Stochastic lithography simulation. Updated material models, G. P. Patsis, 6th Fraunhofer IISB Lithography Simulation Workshop, September 18 – 20, Athens, Greece (2008). (ΠΡΟΣΚΕΚΛΗΜΕΝΗ ΟΜΙΛΙΑ).

67. LWR measurements and its effects on transistor performance, V. Constandoudis, G. P. Patsis, 6th Fraunhofer IISB Lithography Simulation Workshop, September 18 – 20, Athens, Greece (2008). (ΠΡΟΣΚΕΚΛΗΜΕΝΗ ΟΜΙΛΙΑ).

68. Coupling E-Beam, Stochastic Lithography, and Etching Models for Simulation Studies on Molecular Resists, D. Drygiannakis, G. P. Patsis, G. Kokkoris, I. Raptis, E. Gogolides, 6th Fraunhofer IISB Lithography Simulation Workshop, September 18 – 20, Athens, Greece (2008). (ΑΦΙΣΑ).

69. Electron-Beam-Patterning Simulation and Metrology of Complex Layouts on Si/Mo Multilayer Substrates, G. P. Patsis, N. Tsikrikas, I. Raptis, and E. Gogolides, 6th Fraunhofer IISB Lithography Simulation Workshop, September 18 – 20, Athens, Greece (2008). (ΑΦΙΣΑ).

2009

70. Line Width Roughness Impact on Device Performance: The Role of the Gate Width, V. Constantoudis, E. Gogolides, G.P. Patsis, ESSDERC, Αθήνα, 2009.(ΑΦΙΣΑ).

71. Detailed Resist Film Modelling in Stochastic Lithgoraphy Simulation for Line-Edge Roughness Quantification, D. Drygiannakis, I. Raptis, E. Gogolides , and G. P. Patsis, ΜΝΕ, Gent, Βέλγιο (2009). (ΟΜΙΛΙΑ).

72. Coupling of Shot Noise and Resist Material Simulation for Electron Beam Lithography in 32nm Designs, N. Tsikrikas, G. P. Patsis, D. Drygiannakis, and I. Raptis, ΜΝΕ, Gent, Βέλγιο (2009). (ΑΦΙΣΑ).

2010

73. Gate Width Control of Line Edge Roughness Effects on Transistor Performance, V. Constantoudis, G.P. Patsis, E. Gogolides SPIE 2010. (ΑΦΙΣΑ).

74. Evolution of resist roughness during development: stochastic simulation and dynamic scaling analysis, V. Constantoudis, G.P. Patsis, E. Gogolides SPIE 2010. (ΑΦΙΣΑ).

75. Modeling of double patterning interactions in litho-freezing-litho-etch (LFLE) processes, Andreas Erdmann, S. Feng, J. Fuhrmann, A. Fiebach, G.P. Patsis, and P. Trefonas, SPIE 2010. (ΑΦΙΣΑ).

76. Macroscopic and Stochastic Modeling Approaches to Pattern Doubling by Acid Catalyzed Cross-Linking, V J. Fuhrmann, A. Fiebach, G. Patsis, SPIE 2010. (ΑΦΙΣΑ).

77. Evolution of resist roughness during development: Stochastic simulation and dynamic scaling analysis, V. Constantoudis, G.P. Patsis, and E. Gogolides, (MIEL 2010) 27th International Conference on Microelectronics, Nis, Serbia 16-19 May 2010 organized by IEEE Serbia and Montenegro Section (http://miel.elfak.ni.ac.rs/). (ΑΦΙΣΑ).

78. Line Width Roughness Effects on Device Performance: The Role of the Gate Width Design, V. Constantoudis, E. Gogolides, and G. P. Patsis, (MIEL 2010) 27th International Conference on Microelectronics, Nis, Serbia 16-19 May 2010 organized by IEEE Serbia and Montenegro Section (http://miel.elfak.ni.ac.rs/). (ΑΦΙΣΑ).

79. Fractals in Nanotechnology: The Role of Roughness, V.Constantoudis, G. P. Patsis and E.Gogolides, Complexity 2010 (ΟΜΙΛΙΑ).

80. Simulation, evaluation and optimization of a thermal microfluidic flow sensor, G. P. Patsis, A. Petropoulos, G. Kaltsas, EUROSENSORS (2010). (ΑΦΙΣΑ).

81. Integrated capacitive sensor array and low power read out electronics for the real time detection of volatile organic compounds, P. Oikonomou, A. Botsialas, G. P. Patsis, K. Manoli, D. Goustouridis, N. A. Pantazis, A. Kavadias, E. Valamontes, M. Sanopoulou, I. Raptis, MNE (2010). (ΑΦΙΣΑ). (www.mne2010.org)

2011

82. Chemocapacitance response simulation through polymer swelling and capacitor modeling, P. Oikonomou, A. Salapatas, K. Manoli, K. Misiakos, D. Goustouridis, E. Valamontes, M. Sanopoulou, I. Raptis, G. P. Patsis , Eurosensors (2011). (Poster) (www.eurosensors2011.org/)

83. Hybrid integration of microfabricated chemcapacitor arrays with miniaturized read-out electronics towards low-power gas sensing module, P. Oikonomou, G. P. Patsis, K. Manoli, D. Goustouridis, E. Valamontes, N. Pantazis, M. Sanopoulou, I. Raptis, Eurosensors (2011). (Poster) (www.eurosensors2011.org/)

84. Simulation and Experimental Evaluation of Gas Mass Flow Transfer Rate in Microchannels, G. P. Patsis, K. Ninos, D. Mathioulakis, and G. Kaltsas, Eurosensors (2011), (Poster) (www.eurosensors2011.org/)

85. Capacitive sensor arrays for the real time detection of volatile organic compounds, N. A. Pantazis, G. P. Patsis, E. Valamontes, I. Raptis, D. Goustouridis, M.Sanopoulou, Proceedings of the International Conference on Sensing Technology, ICST , art. no. 6137013 , pp. 422-425 (2011).

2012

86. Real time detection of volatile organic compounds through a chemocapacitor system E. Valamontes, G. P. Patsis, D. Goustouridis, P. Oikonomou, A. Botsialas, I. Raptis, M. Sanopoulou, IMCS 2012, The 14th International Meeting on Chemical Sensors, May 20 - 23, 2012, Nόrnberg/Nuremberg, Germany (http://www.imcs2012.de/)

87. Fractals and device performance variability: The key role of roughness in micro and nanofabrication Pages 121-125 V. Constantoudis, G.P. Patsis, E. Gogolides Microelec. Engin. Volume 90, Pages 1-172 (February 2012) (www.mne2012.org)

17. ΔΗΜΟΣΙΕΥΣΕΙΣ : Σε μονογραφίες

1. Monte Carlo Study of Surface and Line-Width Roughness of Resist Film Surfaces during Dissolution, G. P. Patsis, Mathematics and Computers in Simulation 68(2),145 (2005).

2. Stochastic Simulation of Thin Photoresist Film Dissolution: A Dynamic and a Quasi-Static Dissolution Algorithm for the Simulation of Surface and Line-Edge Roughness Formation, G. P. Patsis, Polymer 46, 2404 (2005).

3. Modeling MOSFET Gate Length Variability for Future Technology Nodes, G. P. Patsis, Phys. Stat. Sol. 9a) 205 (11) 2541 (2008).

18. ΔΗΜΟΣΙΕΥΣΕΙΣ : Κεφάλαια σε Βιβλία

1. Simulation of Electron Beam Exposure and Resist Processing for Nano-Patterning, Ioannis Raptis, George P. Patsis, Chapter 3 in Nanofabrrication, Techniques and Principles, Edited by M.Stepanova and S. Dew, , approx. 350p., ISBN 978-3-7091-0423-1, by Springer - Verlag. Nov. 2011.

2. Sidewall roughness in nanolithography: origins, metrology and device effects, V. Constantoudis. G. P. Patsis, and E. Gogolides, (Chapter 16) in Nanolithography: The Art of Fabricating Nanoelectronics, Nanophotonics and Nanobiology Devices and Systems (Woodhead Publishing Series in Electronic and Optical Materials) [Hardcover]Martin Feldman (Author, Editor) (2013).

http://www.amazon.co.uk/Nanofabrication-Techniques-Principles-Maria-Stepanova/dp/ 3709104238/ref=sr_1_1?s=books&ie=UTF8&qid=1386096556&sr=1-1&keywords=Nanofabrication% 3A+Techniques+and+Principles

http://www.amazon.co.uk/Nanolithography-Fabricating-Nanoelectronics-Nanophotonics-Nanobiology/dp/toc/0857095005

Product Description From the Back Cover: Intended to update scientists and engineers on the current state of the art in a variety of key techniques used extensively in the fabrication of structures at the nanoscale. The present work covers the essential technologies for creating sub 25 nm features lithographically, depositing layers with nanometer control, and etching patterns and structures at the nanoscale. A distinguishing feature of this book is a focus not on extension of microelectronics fabrication, but rather on techniques applicable for building NEMS, biosensors, nanomaterials, photonic crystals, and other novel devices and structures that will revolutionize society in the coming years.

Table of Contents: Optical projection lithography; Extreme ultraviolet (EUV) lithography; Electron beam lithography; Focused ion beams for nano-machining and imaging; Masks for micro- and nanolithography; Maskless photolithography; Chemistry and processing of resists for nanolithography; Directed assembly nanolithography; Nanoimprint lithography; Nanostructures: Fabrication and applications; Nanophotonics: Devices for manipulating light at the nanoscale; Nanodevices: Fabrication, prospects for low dimensional devices and applications; Microfluidics: Fabrication technologies, interconnect approaches and applications; Modeling of nanolithography processes; Mask-substrate alignment via interferometric moire fringes; Sidewall roughness in nanolithography: Origins, metrology and device effects; New applications and emerging technologies in nanolithography.

3. Εισαγωγή στα Ψηφιακά Ηλεκτρονικά, Γεώργιος Π. Πάτσης, 2014 (Τμήμα Ηλεκτρονικών Μηχανικών ΤΕΙ Αθήνας). Υπό έκδοση από www.bookstar.gr. (περίπου 400 σελίδες).

4. Kυκλώματα Ηλεκτρονικών Ταλαντωτών και Φίλτρων. Σχεδίαση – Προσομοίωση με Διακριτά Στοιχεία, Γεώργιος Π. Πάτσης, 2014, (Τμήμα Ηλεκτρονικών Μηχανικών ΤΕΙ Αθήνας). Υπό έκδοση από www.bookstar.gr (περίπου 600 σελίδες).

00-Cover

19. ΔΗΜΟΣΙΕΥΣΕΙΣ : Σε άλλα περιοδικά (Πρακτικά Ελληνικών Συνεδρίων)

1. Προσομοίωση σχηματισμού αδιάλυτου πλέγματος σε χημικά ενισχυμένες ρητίνες με τεχνικές Monte Carlo, Γ. Π. Πάτσης και Ν. Γλέζος, 4o Πανελλήνιο Συνέδριο Πολυμερών , Πάτρα (1997) (ΑΦΙΣΑ).

2. Μελέτη επιφανειών με θεωρίες κλιμάκωσης, Β. Κωσταντούδης, Γ. Π. Πάτσης και Ε. Γογγολίδης, Πανελλήνιο Συνέδριο Πολυπλοκότητας και Κρίσιμων Φαινομένων, Πάτρα (2001) (ΟΜΙΛΙΑ).

3. Μελέτη μορφοκλασματικών χαρακτηριστικών επιφανειακής τραχύτητας φωτοπολυμερών, Β. Κωσταντούδης, Γ. Π. Πάτσης και Ε. Γογγολίδης , Πανελλήνιο Συνέδριο Πολυπλοκότητας και μη Γραμμικής Δυναμικής, Πάτρα (2002) (ΟΜΙΛΙΑ).

4. Προσομοίωση διάλυσης συμπολυμερών ακρυλικού οξέος σε διαλύματα βάσεων με στοχαστικά μοντέλα, Β. Α. Σαρρής, Γ. Π. Πάτσης, Ε. Γογγολίδης, Α. Γ. Μπουντουβής, 4ο Πανελλήνιο Συνέδριο Χημικής Μηχανικής, Πάτρα (2003) (ΑΦΙΣΑ).

5. Χαρακτηρισμός της τραχύτητας δομών και επιφανειών από εικόνες SEM και AFM, Γ. Π. Πάτσης, Β. Κωνσταντούδης και Ε. Γογγολίδης, 10ο Πανελλήνιο Συνέδριο Φυσικής Στερεάς Κατάστασης, Θεσσαλονίκη (2003) (ΑΦΙΣΑ).

6. Μελέτη μορφοκλασματικών χαρακτηριστικών νανοδομημένων επιφανειών, Β. Κωσταντούδης, Γ. Π. Πάτσης και Ε. Γογγολίδης , Πανελλήνιο Συνέδριο Πολυπλοκότητας και μη Γραμμικής Δυναμικής, Ολυμπία (2004) (ΑΦΙΣΑ, Βραβείο καλύτερης αφίσας).

7. Χαρακτηρισμός της τραχύτητας δομών και επιφανειών από εικόνες SEM και AFM, Β. Κωνσταντούδης, Ε. Γογγολίδης και Γ. Π. Πάτσης, 11ο Πανελλήνιο Συνέδριο Φυσικής Στερεάς Κατάστασης, Ιωάννινα (2004) (ΑΦΙΣΑ).

8. Μετρήσεις μήκους στη μίκρο/νανοκλίμακα. Εφαρμογές στη μίκρο/νάνοηλεκτρονική, Γ. Π. Πάτσης, Β. Κωνσταντούδης, Ε. Γογγολίδης, 1^ο Πανελλήνιο Συνέδριο Μετρολογίας, Αθήνα (2005) (ΟΜΙΛΙΑ).

9. Επίδραση της αρχιτεκτονικής φωτοευαίσθητων υλικών σε διαστάσεις σχηματοποίησης ολοκληρωμένων κυκλωμάτων μικρότερες των 45nm, Δ. Δρυγιαννάκης, Γ. Π. Πάτσης, Ι. Ράπτης, Πανελλήνιο Συνέδριο Φυσικής Στερεάς Κατάστασης, Αθήνα (2007) (ΑΦΙΣΑ).

10. Αναζήτηση σχεδίων και μετρολογία σε περίπλοκες τοποθεσίες (layout) ολοκληρωμένων κυκλωμάτων, Ν. Τσικρίκας, Γ. Π. Πάτσης, Ι. Ράπτης, Πανελλήνιο Συνέδριο Φυσικής Στερεάς Κατάστασης, Αθήνα (2007) (ΑΦΙΣΑ).

11. Effects of sidewall roughness on transistor performance: The role of gate width, V. Constantoudis, G. P. Patsis and E. Gogolides Πανελλήνιο Συνέδριο Φυσικής Στερεάς Κατάστασης, Θεσσαλονίκη (2009) (ΑΦΙΣΑ).

20. ΟΜΙΛΙΕΣ ΣΕ ΣΥΝΕΔΡΙΑ – ΣΥΝΑΝΤΗΣΕΙΣ ΕΡΕΥΝΗΤΙΚΩΝ ΠΡΟΓΡΑΜΜΑΤΩΝ – ΘΕΡΙΝΑ ΣΧΟΛΕΙΑ – ΕΠΙΣΚΕΨΕΙΣ – ΜΑΘΗΜΑΤΑ ΣΕ ΣΥΝΕΔΡΙΑ

1. Reaction-diffusion modeling of acid diffusion in e-beam resists , G. P. Patsis, and N. Glezos , 6^th Εuropean Polymer Federation Symposium on Polymeric Materials, Greece (1996).

2. Theoretical discussion of diffusion effects in negative chemically amplified resists based on contrast curve simulation , G. P. Patsis, and N. Glezos , Electron Ion and Photon Beams and Nanofabrication (EIPBN), USA (1997).

3. Calculation of energy deposition in thin resist films over multilayer substrates ,I. Raptis, N. Glezos, A. Rosenbusch, G. P. Patsis and P. Argitis, Μicro and Νanoengineering (MNE), Greece (1997).

4. E-beam proximity correction for negative tone chemically amplified resists taking into account post-bake effects ,N. Glezos, G. P. Patsis, A. Rosenbusch and Z. Cui,Μicro and Νanoengineering (MNE), Greece (1997).

5. Molecular dynamics simulation of gel formation and acid diffusion in negative tone chemically amplified resists , G. P. Patsis and N. Glezos, Μicro and Νanoengineering (MNE), Belgium(1998).

6. Υλικά και Διαδικασίες Μικροηλεκτρονικής Λιθογραφίας. Γ. Π. Πάτσης, Θερινό Σχολείο ΕΚΕΦΕ Δημόκριτος (1999).

7. Μελέτη επιφανειών με θεωρίες κλιμάκωσης, Β. Κωσταντούδης, Γ. Π. Πάτσης και Ε. Γογγολίδης, Πανελλήνιο Συνέδριο Πολυπλοκότητας και Κρίσιμων Φαινομένων, Πάτρα (2001).

8. A software for quantification of line-edge roughness of photoresists from top-down SEM images based on scaling and fractal concepts , G. P. Patsis, V. Constantoudis, and E. Gogolides, Symposium of CREMSI organized by STUniversity, France (2003).

9. Etching Behavior of Si-containing Polymers as Resist Materials for Bilayer Lithography, A. Tserepi, G. Cordoyiannis, G. P. Patsis, V. Constantoudis, E. Gogolides, I. Raptis and E. S. Valamontes, 4rth international symposium on polymer surface modifications, USA (2003).

10. Ανάπτυξη Λογισμικού για την Ποσοτικοποίηση και Προσομοίωση της Πλευρικής Τραχύτητας σε Φωτοπολυμερή. Επιπτώσεις στις Διατάξεις. Γ. Π. Πάτσης, Ινστιτούτο Μικροηλεκτρονικής (2003).

11. Determining the impact of statistical fluctuations on resist line-edge roughness, L.H.A. Leunissen, M. Ercken, G. P. Patsis, Μicro and Νanoengineering (MNE), Roterdam (2004). (ΠΡΟΣΚΕΚΛΗΜΕΝΗ ΟΜΙΛΙΑ).

12. Simulation of polymer architecture and molecular weight effects on line-edge roughness. G. P. Patsis. Μore Moore. Technical Review Meeting , Inst. Microelectronics, NCSR Demokritos 13-14/5 (2004).

13. Προσομοίωση Φυσικοχημικών Διεργασιών Σε Φωτοπολυμερή Λιθογραφίας. Χαρακτηρισμός – Μελέτη – Προσομοίωση της Τραχύτητας. . Γ. Π. Πάτσης, Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων, Τμήμα Επιστήμης και Τεχνολογίας των Υλικών (2004).

14. Line Width Roughness (LWR) metrology, characterization, and simulation: Developing the software tools for understanding, describing, and predicting LER, E. Gogolides, V. Constantoudis, G. P. Patsis, EUVL Workshop 2004, Rotterdam, 23/9 (2004).

15. Calculations of electron-beam energy deposition in resist films over multiplayer Si/Mo substrates, G. P. Patsis, N. Glezos, Microfabrication, Microsystems and Nanotechnology (MNN), Athens, (2004).

16. Μετρήσεις μήκους στη μίκρο/νανοκλίμακα. Εφαρμογές στη μίκρο/νάνοηλεκτρονική, Γ. Π. Πάτσης, Β. Κωνσταντούδης, Ε. Γογγολίδης, 1^ο Πανελλήνιο Συνέδριο Μετρολογίας, Αθήνα (2005).

17. Stochastic Simulation of Material – Process – and Shot Noise Effects on Line – Edge Roughness. G. P. Patsis, Μore Moore. Technical Review Meeting, Inst. Microelectronics, NCSR Demokritos 13-14/5 (2005).

18. Combined metrology and simulation of imprinted photopolymer lines/spaces. Extraction of line-edge roughness descriptors, G. P. Patsis, N. Tsikrikas, V. Constantoudis, and E. Gogolides, 3^rd International Symposium on Nanomanufacturing (ISNM05), Cyprus, November (2005).

19. Line Edge nano-roughness and surface nano-texture resulting from patterning processes: A blessing or a curse?, E. Gogolides, V. Constantoudis, G. P. Patsis, A. Tserepi, Μicro and Νanoengineering (MNE), Vienna, Austria (2005). (ΠΡΟΣΚΕΚΛΗΜΕΝΗ ΟΜΙΛΙΑ).

20. Προσομοίωση διεργασιών και διατάξεων μίκρο-νάνο ηλεκτρονικής. Γ. Π. Πάτσης, Πολυτεχνείο Κύπρου – Τμήμα Μηχανολόγων Μηχανικών (2005).

21. Μοντελοποίηση και ποσοτικοποίηση πλευρικής τραχύτητας. Επιπτώσεις στην ηλεκτρική συμπεριφορά των τρανζίστορς. Γ. Π. Πάτσης, Ινστ. Μικροηλεκτρονικής 16/5 (2006).

22. Προσομοίωση διεργασιών και διατάξεων μίκρο-νάνο ηλεκτρονικής. Γ. Π. Πάτσης, Θερινό σχολείο ΕΚΕΦΕ Δημόκριτος, 14/7/2006.

23. Α. Dissolution properties: measurement and simulation approaches established. Β. Simulation of molecular resists with LER effects included. G. P. Patsis, Μore Moore. 13. - 14.06. Technical Review Meeting , Delft / The Netherlands (2006).

24. Dissolution studies of polycarbocycle-based aqueous base developable molecular resists, D. Niakoula, D. Drygiannakis, I. Raptis, G. P. Patsis, P. Argitis, E. Gogolides, V. P. Vidali, D.R. Gautam, E. A. Couladouros,c, W. Yueh, J. Roberts, R. Meagley, Micro-Nano Conference (MNC), Tokyo, Japan (2006).

25. Polymeric and molecular glass resist models for stochastic lithography simulation, G. P. Patsis , D.Drygiannakis, , I.Raptis, and E.Gogolides, 5^th Workshop on Lithography Simulation, September 28 – 30, 2007 in Hersbruck, Germany (ΠΡΟΣΚΕΚΛΗΜΕΝΗ ΟΜΙΛΙΑ).

26. Advanced lithography models for strict process control in the 32nm technology node, G. P. Patsis, D. Drygiannakis, I. Raptis, E. Gogolides, A. Erdmann, Μicro and Νanoengineering (MNE), Athens, Greece (2008).

27. Simulation of E-Beam Edge Acuity Effect on the Resolution and LER of Chemically Amplified Resists, N. Tsikrikas, D. Drygiannakis, E. Valamontes, I. Raptis, and G.P. Patsis, Micro-Nano Conference (MNC), Fukuoda Japan (2008).

28. MNE-2008 Course on the Origins of Material Roughness – Modeling and Simulation. Athens Greece (2008). Στο διεθνές συνέδριο ΜΝΕ (Micro – Nano – Engineering) που το 2008 έγινε στην Αθήνα, δίδαξε μάθημα 3 ωρών με θέμα “Material Origins of Roughness and Effects on Device Performance. Modeling and Simulation Considerations”.

29. Stochastic lithography simulation. Updated material models, G. P. Patsis, 6th Fraunhofer IISB Lithography Simulation Workshop, September 18 – 20, Athens, Greece (2008).

30. LWR measurements and its effects on transistor performance, V. Constandoudis, G. P. Patsis, 6th Fraunhofer IISB Lithography Simulation Workshop, September 18 – 20, Athens, Greece (2008).

31. Effects of photoacid generator and base quencher interdiffusion on the line edge roughness on resist lines and contact holes, G. P. Patsis, MD3 Meeting, Erlangen, Germany (22-24/6/2009).

32. Προσομοίωση διεργασιών και διατάξεων μίκρο-νάνο ηλεκτρονικής. Γ. Π. Πάτσης, Θερινό σχολείο ΕΚΕΦΕ Δημόκριτος, (6/7/2009).

21. ΕΤΕΡΟΑΝΑΦΟΡΕΣ

Πλήθος ετεροαναφορών: 480

h-index = 12 (12 από τις εργασίες έχουν ετεροαναφερθεί τουλάχιστον 12 φορές)

Πηγή: Scopus.com.